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J-GLOBAL ID：201802244857162398   整理番号：18A0968728

室温および極低温で窒素を注入したZnOにおける欠陥安定化と逆アニーリング【JST・京大機械翻訳】

Defect stabilization and reverse annealing in ZnO implanted with nitrogen at room and cryogenic temperature

著者 (4件)： Azarov Alexander (Centre for Materials Science and Nanotechnology, Department of Physics, University of Oslo, P.O. Box 1048 Blindern, N-0316 Oslo, Norway) ,  Wendler Elke (Institut fuer Festkorperphysik, Friedrich-Schiller-Universitaet Jena, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena, Germany) ,  Monakhov Edouard (Centre for Materials Science and Nanotechnology, Department of Physics, University of Oslo, P.O. Box 1048 Blindern, N-0316 Oslo, Norway) ,  Svensson Bengt G. (Centre for Materials Science and Nanotechnology, Department of Physics, University of Oslo, P.O. Box 1048 Blindern, N-0316 Oslo, Norway)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 10  ページ： 105701-105701-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒素は潜在的アクセプタドーパントであり,ZnO中で最も研究されている元素の一つであるという事実にもかかわらず,関連欠陥の理解を欠き,それらの熱発展はZnOの信頼できるp型ドーピングの実現を制限している。ここでは,イオン注入を用いて,[0001]方向に沿って整列したAgイオン衝撃によって形成された既存の埋め込まれた無秩序層の有無にかかわらず,室温(RT)および15KでNを導入した。埋め込まれた層は高濃度の拡張欠陥を含み,移動点欠陥のトラップとして作用する。チャネリング解析は,逆アニーリングが,共注入試料における強い非線形添加物損傷蓄積を伴う600°C以上のポストインプラント熱処理の間,すべてのN注入試料において起こることを示した。逆アニーリング効果はRT共注入試料において安定でなく,データはZn格子間原子のような固有点欠陥の高い局所濃度が逆アニーリングの原因となるN欠陥クラスタの安定性を促進することを示唆した。この提案は,RT共注入試料における1100°Cでの増強された欠陥媒介Agの外部拡散によっても確証される。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 格子間原子 ,  添加剤 ,  *焼なまし ,  *窒素 ,  イオン注入 ,  *極低温 ,  *亜鉛 ,  点欠陥 ,  チャネリング ,  *酸化亜鉛
準シソーラス用語： アニーリング効果 ,  共注入 ,  拡張欠陥 ,  銀イオン ,  p型ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (8件)： 室温 ,  極低温 ,  窒素 ,  注入 ,  ZnO ,  欠陥 ,  安定化 ,  アニーリング