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J-GLOBAL ID：201802244885230298   整理番号：18A2005484

KrFレーザアニーリングを用いたグラフェン上のPMMA残留物を清浄化するための容易なプロセス【JST・京大機械翻訳】

Facile process to clean PMMA residue on graphene using KrF laser annealing

著者 (4件)： Hwang Hyeon Jun (Center for Emerging Electric Devices and Systems, Gwangju Institute of Science and Technology, Cheomdan Gwagiro 123, Buk-gu, Gwangju 61005, Korea) ,  Lee Yongsu (Center for Emerging Electric Devices and Systems, Gwangju Institute of Science and Technology, Cheomdan Gwagiro 123, Buk-gu, Gwangju 61005, Korea) ,  Cho Chunhum (Departmant of Nanobio Materials and Electronics, Gwangju Institute of Science and Technology, Cheomdan Gwagiro 123, Buk-gu, Gwangju 61005, Korea) ,  Lee Byoung Hun (Center for Emerging Electric Devices and Systems, Gwangju Institute of Science and Technology, Cheomdan Gwagiro 123, Buk-gu, Gwangju 61005, Korea)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 10  ページ： 105326-105326-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン移動中に形成された持続性PMMA残留物は,グラフェンデバイス性能の最適化において責任がある。H_2/Ar雰囲気でのパルスKrFレーザアニーリング系を用いてPMMA残留物を除去する容易なプロセスを実証した。248nmでの10分間のレーザアニーリングは,グラフェンに顕著な損傷を引き起こすことなく,PMMA残留物およびメトキシおよびカルボキシル官能基を除去することができた。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *レーザアニーリング ,  最適化 ,  *グラフェン ,  パルス ,  カルボキシ基 ,  *ポリメタクリル酸メチル ,  *焼なまし
準シソーラス用語： 持続性 ,  KrFレーザ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： KrFレーザ ,  アニーリング ,  グラフェン ,  PMMA ,  残留物 ,  清浄化 ,  プロセス