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J-GLOBAL ID：201802244929723387   整理番号：18A1113322

黒鉛エピタクシー指向自己集合における先進表面親和性制御のための埋め込み中性層【JST・京大機械翻訳】

An embedded neutral layer for advanced surface affinity control in grapho-epitaxy directed self-assembly

著者 (11件)： Delachat Florian (CEA-LETI MINATEC, 17 Rue des Martyrs, 38054 Grenoble, Cedex 9, France. [e-mail]) ,  Gharbi Ahmed ,  Pimenta-Barros Patricia ,  Fouquet Antoine ,  Claveau Guillaume ,  Posseme Nicolas ,  Pain Laurent ,  Nicolet Celia ,  Navarro Christophe ,  Cayrefourcq Ian ,  Tiron Raluca
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 10  号： 23  ページ： 10900-10910  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン-エピタクシー指向自己集合(DSA)パターン形成のための先進的な表面親和性制御は,半導体パターン形成の開発のための信頼できるDSAベースの解決策を提供するために不可欠である。ガイドテンプレートスタックに極薄層を埋め込むことにより,トポロジー的ガイド構造の底面と側壁の間の表面親和性の独立制御を達成した。DSAグラフェン-エピタクシーのための調整可能な表面特性を有する埋め込み層の実装を評価し,臨界寸法SEM特性化により300mmウエハ上で最適化した。ハードマスクガイドテンプレートと埋め込まれた層の間に置かれた薄い保護層は,テンプレートエッチングを誘導する際に埋め込まれた層の表面特性の保存を可能にすることを実証した。193nm浸漬リソグラフィーでパターン化したトポグラフィーテンプレートを用いて,この新しいグラフェン-エピタクシー集積のDSA性能を,シュランク接触の成功率と臨界寸法均一性を監視することにより評価した。FIB-STEM分析を行い,得られた接触上の残留高分子厚さを解析した。この新しい統合により,その後のDSAパターン転写を容易にするガイドテンプレートの底における高分子残留厚さ(数ナノメートル)と均一性(1nm以下)の制御が可能になった。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： パターン形成 ,  *親和性 ,  位相幾何学 ,  浸漬 ,  最適化 ,  グラフェン ,  リソグラフィー ,  *グラファイト ,  半導体 ,  キャラクタリゼーション ,  *自己集合 ,  *エピタクシー ,  表面性状
準シソーラス用語： 300mmウエハ ,  臨界寸法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 医用素材  (GA05040H)

タイトルに関連する用語 (6件)： 黒鉛 ,  エピタクシー ,  自己集合 ,  親和性 ,  埋め込み ,  中性