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J-GLOBAL ID：201802244971671532   整理番号：18A1320650

InAs/GaSbII系超格子長波赤外検出器の実時間γ照射効果【JST・京大機械翻訳】

Real-time γ irradiation effects on long-wavelength InAs/GaSb Type II superlattice infrared detector

著者 (11件)： Jin Chuan (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海200083;中国科学院大学,北京100049) ,  Xu Jiajia (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海,200083) ,  Huang Aibo (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海,200083) ,  Xu Zhicheng (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海,200083) ,  Zhou Yi (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海,200083) ,  Bai Zhizhong (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海,200083) ,  Wang Fangfang (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海,200083) ,  Chen Jianxin (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海,200083) ,  Chen Honglei (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海,200083) ,  Ding Ruijun (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海,200083) ,  He Li (中国科学院上海技術物理研究所紅外成像材料与器件重点実験室,上海,200083)
資料名： Hongwai yu Haomibo Xuebao  (Hongwai yu Haomibo Xuebao)
巻： 36  号： 6  ページ： 688-693  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0174C  ISSN： 1001-9014  CODEN： HHXUEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： InAs/GaSbII超格子長波検出器のγy放射効果について研究した。電流-電圧(I-V)特性は,60Co源γ照射下で,照射線量の増加とともに変化しなかった。異なる照射線量での実時間I-V特性曲線と照射停止後のデバイス電流の時間発展に従い、照射によるデバイス性能の損傷及びミクロ損傷メカニズムを分析した。零バイアスと小逆バイアス下で、照射開始後電流が明らかに増大し、照射損傷が過渡的なイオン化効果を主導し、デバイス性能は短時間で回復できることを発見した。大きな逆バイアス下での暗電流の支配機構は直接トンネリング電流であり,照射による変位効果の影響により暗電流が照射線量の増加とともに減少し,損傷がアニーリング効果により徐々に回復する。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 特性曲線 ,  *超格子 ,  イオン化 ,  時間発展 ,  電圧 ,  バイアス ,  照射線量 ,  照射損傷 ,  *ヒ化インジウム ,  暗電流 ,  電流 ,  *赤外検出器
準シソーラス用語： トンネル電流 ,  逆バイアス ,  *実時間 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： γ irradiation ,  real-time effects ,  long-wave infrared detector ,  InAs/GaSb superlattice

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： InAs ,  超格子 ,  長波 ,  赤外検出器 ,  実時間 ,  照射効果