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J-GLOBAL ID：201802244990456668   整理番号：18A1489522

高密度平行銀相互接続の直接描画作製【JST・京大機械翻訳】

Direct write fabrication of high-density parallel silver interconnects

著者 (5件)： Shen Alan (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, University of Connecticut, Storrs, CT, 06269, USA) ,  Caldwell Dustin (Physical Sciences Department, United Technologies Research Center, East Hartford, CT, 06118, USA) ,  Ma Anson W.K. (Department of Chemical and Biomolecular Engineering, University of Connecticut, Storrs, CT, 06269, USA) ,  Ma Anson W.K. (Polymer Program, Institute of Materials Science, University of Connecticut, Storrs, CT, 06269, USA) ,  Dardona Sameh (Physical Sciences Department, United Technologies Research Center, East Hartford, CT, 06118, USA)
資料名： Additive Manufacturing  (Additive Manufacturing)
巻： 22  ページ： 343-350  発行年： 2018年 
JST資料番号： W3016A  ISSN： 2214-8604  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,高分解能摩耗センサの作製のための直接書込み(DW)技術の適合性を調べた。高密度並列相互接続トレースの生産を実証し,DWインクレオロジーに基づくライン幅とライン間隔を最小化するための処理条件に対する推奨を提供した。アルミナ基板上に50μmの中心から中心までの間隔と15μmの線幅を持つ平行な銀線を作製するために,nScript DWシステムを使用し,空気中625°Cで線を焼結した。焼結線は5.29×10~-8Ωm(文献で報告された約3倍のバルク銀抵抗率)の電気抵抗率を示し,標準偏差は3.68×10~-9Ωm(約7%変化)であった。微細な導電性線を一貫して作り出すために必要な条件を決定するために,体積流量をシミュレートし,弁開口,ディスペンシングギャップおよび基板並進速度を含むいくつかの印刷パラメータの線形状に及ぼす影響を解析した。著者らの結果は,弁開口の減少,ディスペンシングギャップの減少,および/または基板の並進速度の増加が,結果としての印刷流量およびDW線の断面積を減少させることを示した。固定弁開口とディスペンシングギャップに対して,非常に高い基板並進速度におけるインクの過剰伸張による破壊線も観察した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *相互接続 ,  導電性 ,  焼結 ,  電気抵抗率 ,  適応性 ,  開口 ,  標準偏差 ,  印刷 ,  *銀 ,  インク ,  レオロジー ,  センサ ,  並進 ,  延伸
準シソーラス用語： *直接描画 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 直接描画 ,  相互接続 ,  レオロジー ,  摩耗センサ ,  印刷エレクトロニクス ,  インク調剤 ,  狭い相互接続

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 銀 ,  相互接続 ,  直接描画 ,  作製