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J-GLOBAL ID：201802245188439294   整理番号：18A1028586

結晶シリコン太陽電池のための低抵抗TiO_2不動態化カルシウム接触【JST・京大機械翻訳】

Low resistance TiO₂-passivated calcium contacts to for crystalline silicon solar cells

著者 (8件)： Allen Thomas G. (Research School of Engineering, College of Engineering and Computer Science, Australian National University, Canberra, ACT, 0200, Australia) ,  Zheng Peiting (Research School of Engineering, College of Engineering and Computer Science, Australian National University, Canberra, ACT, 0200, Australia) ,  Vaughan Ben (Centre for Organic Electronics, University of Newcastle, Callaghan, NSW, 2308, Australia) ,  Barr Matthew (Centre for Organic Electronics, University of Newcastle, Callaghan, NSW, 2308, Australia) ,  Wan Yimao (Research School of Engineering, College of Engineering and Computer Science, Australian National University, Canberra, ACT, 0200, Australia) ,  Samundsett Christian (Research School of Engineering, College of Engineering and Computer Science, Australian National University, Canberra, ACT, 0200, Australia) ,  Bullock James (Research School of Engineering, College of Engineering and Computer Science, Australian National University, Canberra, ACT, 0200, Australia) ,  Cuevas Andres (Research School of Engineering, College of Engineering and Computer Science, Australian National University, Canberra, ACT, 0200, Australia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,低仕事関数金属カルシウム(φ~2.9eV)と上部アルミニウムキャッピング層の薄層による直接メタライゼーションにより,軽ドープn型結晶シリコン(c-Si)への低抵抗Ohm接触が可能であることが示されている。このアプローチを用いて,<2mΩcm2の上限接触抵抗率を,非拡散n型表面上で実現することができた。しかし,Ca/Si界面での再結合は,非常に低い接触率へのCa接触の適用を制限し,無視できない抵抗損失と素子作製複雑さの増加をもたらす。ここでは,TiO_2中間層の添加後に,Ca/Al構造の低抵抗Ohm接触が保持され,TiO_2とCaを利用する不動態化接触装置の開発への道をもたらすことを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 抵抗損 ,  界面 ,  薄膜 ,  *カルシウム ,  メタライゼーション ,  アルミニウム ,  再結合 ,  *不動態化 ,  ドーピング ,  Ohm接触 ,  仕事関数 ,  ケイ素
準シソーラス用語： 中間層 ,  キャップ層 ,  *結晶シリコン太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 結晶シリコン太陽電池 ,  低抵抗 ,  不動態化 ,  カルシウム