文献

J-GLOBAL ID：201802245239777090   整理番号：18A0887160

有機伝導体α-(BEDT-TTF)₂I₃の電荷秩序ディラック電子における分域壁の融解

Melting of Domain Wall in Charge Ordered Dirac Electron of Organic Conductor α-(BEDT-TTF)₂I₃

著者 (4件)： OHKI Daigo (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MATSUNO Genki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OMORI Yukiko (National Inst. of Technol., Toyota Coll., Aichi, JPN) ,  KOBAYASHI Akito (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 87  号： 5  ページ： 054703.1-054703.8  発行年： 2018年05月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電荷秩序融解の起源を,有機ディラック電子系α-(BEDT-TTF)₂I₃を記述した拡張ハバードモデルにおける実空間依存平均場理論を用いて同定された。このモデルでは,異なるタイプの電荷秩序相の間に生じる分域壁の幅は,電子-電子相関の強度を減少させると,発散する増加を示した。有限サイズの効果を注意深く分析することによって,発散は,ディラック・コーンのペアが有限のギャップに合わせて合体する位相的遷移と一致することが示された。ギャップ開口径とトポロジカル転移点が異なることも明らかにされ,溶融型分域壁およびギャップレスエッジ状態を有するエキゾチックなディラック電子相の存在が導かれた。この結果はまた,多数の準安定状態が大規模なDirac電子相において出現することを示した。自明な電荷秩序相では,ギャップレスのエッジ状態の代わりにギャップレス分域壁束縛状態が発生し,それに伴って,溶融型から双曲線型に分域壁の形状が変化した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *有機伝導体 ,  ヨウ化物 ,  *規則度 ,  *電子 ,  *逆位相境界 ,  Hubbard模型 ,  平均場近似 ,  電子相関 ,  エネルギーギャップ ,  相転移 ,  電子状態 ,  *Dirac電子 ,  Diracコーン ,  トポロジカル相転移 ,  オレフィン化合物 ,  硫黄複素環化合物
準シソーラス用語： *電荷秩序 ,  *分域壁 ,  Bose-Hubbardモデル ,  平均場理論 ,  トポロジカル転移

分類 (2件)： 電子構造一般  (BM02010K) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

物質索引 (1件)： BEDT-TTF

引用文献 (55件)：

• H. Kino and H. Fukuyama, J. Phys. Soc. Jpn. 64, 4523 (1995).
• H. Seo, J. Phys. Soc. Jpn. 69, 805 (2000).
• C. Hotta, J. Phys. Soc. Jpn. 72, 840 (2003).
• T. Takahashi, Synth. Met. 133-134, 261 (2003).
• H. Seo, C. Hotta, and H. Fukuyama, Chem. Rev. 104, 5005 (2004).

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機伝導体 ,  BEDT-TTF ,  電荷秩序 ,  ディラック電子 ,  分域壁 ,  融解