文献

J-GLOBAL ID：201802245265161179   整理番号：18A0404643

PbS増感光電陰極のための正孔選択層としてのITOナノ粒子膜【Powered by NICT】

ITO nanoparticle film as a hole-selective layer for PbS-sensitized photocathodes

著者 (5件)： Dong Yuming (International Research Center for Photo-responsive Molecules and Materials, School of Chemical and Material Engineering, Jiangnan University, Wuxi 214122, P. R. China. [e-mail]) ,  Xia Shibin ,  Jiang Pingping ,  Wang Guangli ,  Zhao Shuang
資料名： New Journal of Chemistry  (New Journal of Chemistry)
巻： 42  号： 3  ページ： 2243-2247  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0785A  ISSN： 1144-0546  CODEN： NJCHE5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光活性半導体により増感された光電陰極は,光電気化学的水素発生及びタンデム結合太陽電池において非常に重要である,それらの発生は正孔選択層として機能するように適切な材料の不足によって妨げられている。本研究では,正孔選択層として光活性材料とすずをドープした酸化インジウム(ITO)としてPbSを用いた新しい光電陰極を報告した。最適化電極は9時間運転活性を持つ 0.222V対Ag/AgClで光照射下で 75μA cm~ 2の光電流を示した。正孔移動の鍵となる因子を調べた。これらの結果は,ITOを示した光電気化学光電陰極のための有望な正孔移動材料であること。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光電流 ,  *ナノ粒子 ,  *正孔 ,  光電気化学 ,  半導体 ,  直列接続 ,  太陽電池 ,  酸化インジウム ,  *光電陰極 ,  *増感 ,  ドーピング ,  光照射 ,  *硫化鉛
準シソーラス用語： 水素発生 ,  光活性化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  有機化合物のルミネセンス  (BM08094A)

タイトルに関連する用語 (5件)： PbS ,  光電陰極 ,  正孔 ,  ITO ,  粒子膜