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J-GLOBAL ID：201802245318634110   整理番号：18A0403920

二層スタネンの半金属挙動【Powered by NICT】

Semimetal behavior of bilayer stanene

著者 (7件)： Evazzade I. (Department of Physics, Faculty of Science, Ferdowsi University of Mashhad, Mashhad, Iran) ,  Roknabadi M.R. (Department of Physics, Faculty of Science, Ferdowsi University of Mashhad, Mashhad, Iran) ,  Morshedloo T. (Nano Structured Coatings Institute of Yazd Payame Noor University, 89431-74559 Yazd, Iran) ,  Modarresi M. (Department of Physics, Faculty of Science, Ferdowsi University of Mashhad, Mashhad, Iran) ,  Mogulkoc Y. (Department of Engineering Physics, Ankara University, 06100 Tandogan, Ankara, Turkey) ,  Mogulkoc Y. (Institute for Molecules and Materials, Radboud University, Heyendaalseweg 135, 6525AJ Nijmegen, The Netherlands) ,  Nemati Far H. (Department of Physics, Faculty of Science, Ferdowsi University of Mashhad, Mashhad, Iran)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 89  ページ： 155-159  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Staneneはナノデバイスにおける潜在的な電子的およびスピントロニクス応用のための有望な電子特性のために最近研究されてきた二次元(2D)座屈したハニカム構造である。本論文では,フッ素化二重層スタネンの電子的性質の第一原理研究を提示した。引張歪,固有のスピン-軌道およびvan der Waals相互作用の影響を密度汎関数理論の枠内で考察した。電子バンド構造は,フッ素化二重層スタネンにおける半金属の特徴であるΓ点で価電子帯と伝導帯間の非常に小さな重なりを示した。引張歪の比較的高い値は,電子バンド構造のエネルギーバンドギャップを開くために必要であるとパリティ解析は歪んだナノ構造は絶縁体であることを明らかにした。我々の結果によれば,単層ふっ素化スタネンにもかかわらず,二分子層はトポロジカル絶縁体のための適切な候補ではない。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 伝導バンド ,  絶縁体 ,  *半金属 ,  スピントロニクス ,  密度汎関数法 ,  ナノ構造 ,  バンドギャップ ,  ハニカム構造 ,  計算 ,  第一原理 ,  フッ素化 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 電子バンド構造 ,  引張歪 ,  二重層 ,  *スタネン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 二層スタネン ,  半金属挙動 ,  トポロジカル絶縁体 ,  第一原理計算

分類 (4件)： その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 二層 ,  スタネン ,  半金属 ,  挙動