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J-GLOBAL ID：201802245498783183   整理番号：18A0968586

II型Weyl半金属t-MoTe_2の移動度スペクトル解析法【JST・京大機械翻訳】

Mobility spectrum analytical approach for the type-II Weyl semimetal T-MoTe₂

著者 (12件)： Pei Q. L. (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China) ,  Luo X. (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China) ,  Chen F. C. (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China) ,  Lv H. Y. (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China) ,  Sun Y. (High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China) ,  Lu W. J. (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China) ,  Tong P. (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China) ,  Sheng Z. G. (High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China) ,  Han Y. Y. (High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China) ,  Song W. H. (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China) ,  Zhu X. B. (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China) ,  Sun Y. P. (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 7  ページ： 072401-072401-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 斜方晶系W/MoTe_2における極端な磁気抵抗(XMR)は,完全電子-正孔(e-h)補償効果とユニークな軌道集合組織トポロジーの組合せから生じ,材料物理学における興味ある研究分野を構成した。ここでは,仮説なしに移動度(μ-スペクトル)の関数として特別な解析手法を適用した。T_d-MoTe_2の縦方向と横方向の電気輸送の解釈に基づいて,キャリアのタイプと数を得ることができた。3つの観察があった。大きな残留抵抗率比は,MoTe_2単結晶サンプルにおいて観察することができて,それは研究した結晶が高品質であることを示した。μスペクトルから3個の電子ポケットと3個の正孔を観測し,H/eの比は1以下であり,MoTe_2がより類似していることを示した。正孔様μスペクトルから得られた分離ピークと異なり,電子様のもののそれらは連続的であり,それは,T_d-MoTe_2における電子ポケットのトポロジー的特徴を示す可能性がある。本結果は,T_d-MoTe_2におけるXMR効果の機構を理解するための重要な手掛かりを提供する可能性がある。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エレクトロトランスポート ,  残留抵抗 ,  補償効果 ,  磁気抵抗 ,  位相幾何学 ,  単結晶 ,  *スペクトル解析 ,  *スペクトル ,  集合組織 ,  *移動度 ,  正孔 ,  斜方晶系
準シソーラス用語： 電子ポケット ,  高品質 ,  解析手法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： Weyl半金属 ,  移動度 ,  スペクトル解析