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J-GLOBAL ID:201802245504780341   整理番号:18A0525971

ZnO 金属-semiconductor-金属デバイスにおける電気的に駆動されたプラズモン-励起子結合ランダムレーザ発振【Powered by NICT】

Electrically driven plasmon-exciton coupled random lasing in ZnO metal-semiconductor-metal devices
著者 (7件):
資料名:
巻: 439  ページ: 525-532  発行年: 2018年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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CuドープZnO 金属-semiconductor-金属(MSM)デバイス上のAgナノ粒子を組み込むことにより実証した電気的に駆動されたプラズモン-励起子結合したランダムレーザ発振。両方の光ルミネセンス及びエレクトロルミネセンス研究は,発光効率は,ZnO励起子とAg表面プラズモン間の結合により顕著に増強されることを示した。ZnO MSM構造上のAgナノ粒子の取込により,6倍まで内部量子効率を実証した。30%減少しレーザ発振のためのしきい値電流出力パワーは40mAの注入電流で350%まで増加した。数値シミュレーション研究は,正孔キャリアがその後のプラズモン-励起子結合レーザ発振のための衝突イオン化過程からのZnO MSMデバイスで発生することを明らかにした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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固体プラズマ  ,  半導体のルミネセンス 
タイトルに関連する用語 (4件):
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