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J-GLOBAL ID：201802245599229448   整理番号：18A1773601

自由およびドープキャリア濃度のための二重ゲートMOSFETの表面ポテンシャルの計算【JST・京大機械翻訳】

Computing Surface Potential of Double Gate MOSFET for both Free and Doped Carrier Concentrations

著者 (3件)： Chakraborty Debarati (Dept of Electronics and Comm Engg, RCC Institute of Information Technology, Kolkata, INDIA) ,  Bhowmick Supoma (Dept of Electronics and Comm Engg, RCC Institute of Information Technology, Kolkata, INDIA) ,  Deyasi Arpan (Dept of Electronics and Comm Engg, RCC Institute of Information Technology, Kolkata, INDIA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IEMENTech  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 対称二重ゲートMOSFETの表面ポテンシャルを,自由及びドープキャリアの存在を考慮して,適切な境界条件に従うPoisson方程式を解くことにより解析的に調べた。異なる半導体をシミュレーション目的のために考慮し,Siに対する既に存在する結果に対するポテンシャルw.r.tの変化を見出し,キャリア濃度を変動を観測するために実行可能な限界内で修正した。オンチップでのJoule熱効果を説明するために異なる温度でシミュレーションを行い,著しい変化を観測した。結果は,Ortiz-Condeモデルを満たすDG MOSFETを通してドレイン電流を決定する際に重要な役割を果たす。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  対称性 ,  半導体 ,  *表面電位 ,  ケイ素 ,  *MOSFET ,  Poisson方程式 ,  境界条件 ,  *ドーピング ,  *キャリア密度
準シソーラス用語： *二重ゲート ,  オンチップ ,  ドレイン電流 ,  Joule熱 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドープ ,  キャリア濃度 ,  二重ゲート ,  MOSFET ,  表面ポテンシャル ,  計算