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J-GLOBAL ID:201802245630163029   整理番号:18A0709089

半導体カーボンナノチューブサブ10nm人工量子ドットにおける閉込め電子および正孔状態【JST・京大機械翻訳】

Confined electron and hole states in semiconducting carbon nanotube sub-10 nm artificial quantum dots
著者 (6件):
資料名:
巻: 132  ページ: 304-311  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0270B  ISSN: 0008-6223  CODEN: CRBNA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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半導体単層カーボンナノチューブの価電子帯と伝導帯における量子閉込めを人工欠陥により設計できることを示した。この能力は,電気駆動,テレコム波長,室温単一光子源のような将来のナノチューブベースの量子デバイスの設計の可能性を持つ。10nm以下の横方向サイズをもつIntrrananoチューブ量子ドットが,連続Ar+またはN+イオン誘起欠陥の間で生成され,100meVのオーダーのレベル間隔をもつ量子化電子束縛状態を生じさせる。低温走査トンネル分光法を用いて,量子化状態のエネルギーと実空間特徴を解き,それらを理論モデルと比較した。非対称欠陥散乱強度とAu(111)基板の影響による状態構造に及ぼす効果は,一次元区分定数ポテンシャルモデル上のSchroedinger方程式を解くことにより著しく良く再現された。ab initio計算を用いて,空格子点,化学吸着された窒素吸着原子および非常に安定な二重空格子点が,実験的に観測されたように,離散束縛状態の明瞭な特徴をもつ量子ドットを形成できる強い散乱中心を構成することを実証した。欠陥散乱強度のエネルギー依存性も調べた。最後に,このような量子ドット構造の光学的性質の特性化に向けたステップを論じた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
分類
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炭素とその化合物 

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