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J-GLOBAL ID：201802245725878104   整理番号：18A1066446

垂直金属酸化物ヘテロ構造を持つ高効率発光トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

High Efficiency Light-Emitting Transistor with Vertical Metal-Oxide Heterostructure

著者 (12件)： Liu Xiang (Division of Nanophotonics, CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 10010, China) ,  Liu Xiang (School of Electronic and Information Engineering, Nanjing University of Information Science and Technology, Nanjing, 210096, China) ,  Kuang Wenjian (School of Electronic and Information Engineering, Nanjing University of Information Science and Technology, Nanjing, 210096, China) ,  Ni Haibin (School of Electronic and Information Engineering, Nanjing University of Information Science and Technology, Nanjing, 210096, China) ,  Tao Zhi (School of Electronic and Information Engineering, Nanjing University of Information Science and Technology, Nanjing, 210096, China) ,  Chang Jianhua (School of Electronic and Information Engineering, Nanjing University of Information Science and Technology, Nanjing, 210096, China) ,  Liu Qinquan (School of Electronic and Information Engineering, Nanjing University of Information Science and Technology, Nanjing, 210096, China) ,  Ge Junxiang (School of Electronic and Information Engineering, Nanjing University of Information Science and Technology, Nanjing, 210096, China) ,  Li Chi (Division of Nanophotonics, CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 10010, China) ,  Li Chi (College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China) ,  Dai Qing (Division of Nanophotonics, CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 10010, China) ,  Dai Qing (College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China)
資料名： Small  (Small)
巻： 14  号： 22  ページ： e1800265  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標準的な論理トランジスタによる発光のモノリシック集積は,必要な多機能性である。ここでは,無機量子ドット(QD)エミッタとレーザアニールした垂直金属-酸化物ヘテロ構造を用いた高効率発光トランジスタ(LET)を報告した。実験結果は,このQD LET(QLET)のピーク効率と輝度が,585nmの単色発光波長で,それぞれ,11%と8000cdm-2であることを示した。知られている限り,これらはLETsに対してこれまでに達成された最も高い値の中にある。より重要なことに,QLETは,25cm~2V~-1S~-1までの超高電子移動度,低効率ロールオフ(高3000cdm2で7%),および長時間ゲート応力スイッチングサイクルによる優れた安定性を示した。さらに,このアプローチは,従来の大面積シリコン電子製造に使用されるものと互換性があり,将来の統合された汎用ディスプレイと照明応用のためのスケーラブルで費用対効果の高い手順を可能にする。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *トランジスタ ,  輝度 ,  照明 ,  ケイ素 ,  *金属酸化物 ,  量子ドット ,  レーザアニーリング ,  表示装置 ,  互換性
準シソーラス用語： 大面積 ,  単色 ,  モノリシック集積化 ,  *発光トランジスタ ,  *高効率 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 高効率化 ,  高移動度 ,  大面積 ,  発光トランジスタ(LETS) ,  金属-酸化物ヘテロ構造 ,  量子ドット(QDs)

分類 (2件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 垂直 ,  金属酸化物 ,  ヘテロ構造 ,  高効率 ,  発光トランジスタ