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J-GLOBAL ID：201802245726568554   整理番号：18A0859736

低電力フラッシュ応用のための分子ベースフラッシュセル:最適化と可変性評価【JST・京大機械翻訳】

Molecular based flash cell for low power flash application: Optimization and variability evaluation

著者 (4件)： Georgiev Vihar P. (Device Modelling Group, School of Engineering, University of Glasgow, G12 8LT, Glasgow, UK) ,  Vila-Nadal Laia (WestCHEM, School of Chemistry, University of Glasgow, G12 8QQ, Glasgow, UK) ,  Cronin Leroy (WestCHEM, School of Chemistry, University of Glasgow, G12 8QQ, Glasgow, UK) ,  Asenov Asen (Device Modelling Group, School of Engineering, University of Glasgow, G12 8LT, Glasgow, UK)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NMDC  ページ： 64-65  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子エレクトロニクスの分野は,電子デバイスの操作力の小型化と低減のために最も興味を引き続けている。文献で記述されたほとんどの系はベンゼン,フェロセン及びフラーレンのような有機分子に基づいている。しかしながら,無機分子の使用は,ポリオキソメタラート(POM)(Fig.1とFig.2を見る)として知られている。また,従来および有機ベースのデバイスよりもいくつかの重要な利点を提供できた。本研究では,POMは有機分子よりも既存のCMOSプロセスとより互換性があり,それらは,現代のフラッシュセルデバイスにおけるポリシリコン浮遊ゲートに代わることができることを示した。フラッシュセル応用のためのPOMにおける関心は,POMが高度に酸化還元活性な分子であり,それらが電子的に活性なヘテロ原子~[3]をドープすることもできるという事実に由来する。それらは複数の可逆的な還元/酸化を受けることができ,それらはフラッシュメモリセルにおけるマルチビット記憶のための魅力的な候補となる。分子電荷蓄積は局所化され,したがって,ポリSi浮遊ゲート(FG)の側面上の電荷再分布から生じる交差セル容量結合を最小化し,フラッシュメモリによる最も重要な問題の1つである。この利点は,電荷捕獲誘電体または金属ナノクラスタアレイによる浮遊ゲートにおいて現在実現されているが,両技術は大きな変動性を示す。電荷捕獲メモリはトラップ密度とトラップエネルギーの変化を受け,ナノクラスタのサイズと密度は制御が困難である。これはそれらの究極の小型化を妨げる。実際に,貯蔵中心として分子を用いる概念は,有機レドックス活性分子~[1]に対して既に実証されている。ここでは,完全3Dシミュレーションを用いて,ランダムドーパントゆらぎ(RDF)とPOMゆらぎ(POMF)から生じるデバイス性能(閾値電圧VTに関する)と統計的変動性の間の相関を評価した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 誘電体 ,  フローティングゲート ,  ナノクラスタ ,  ゆらぎ ,  *最適化 ,  フラーレン ,  有機化合物 ,  ドーピング ,  酸化還元反応 ,  記憶装置 ,  小型化 ,  帯電 ,  フラッシュメモリ
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  電荷捕獲 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 分子化合物  (CE02000C) ,  芳香族単環アミン・イミン・第四アンモニウム・インモニウム  (CF05050D) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低電力 ,  フラッシュ ,  応用 ,  分子 ,  最適化 ,  可変性 ,  評価