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J-GLOBAL ID：201802245912709610   整理番号：18A0623786

Cr_2O_3/強磁性体界面交換バイアス薄膜系における低エネルギー磁気電気スイッチングのための挿入した金属【Powered by NICT】

Inserted metals for low-energy magnetoelectric switching in a Cr₂O₃/ferromagnet interfacial exchange-biased thin film system

著者 (11件)： Ye Shujun (Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-0845, Japan. [e-mail] [e-mail]) ,  Nozaki Tomohiro ,  Kotani Yoshinori ,  Toyoki Kentaro ,  Nakamura Tetsuya ,  Yonemura Syougo ,  Shibata Tatsuo ,  Pati Satya Prakash ,  Al-Mahdawi Muftah ,  Shiokawa Yohei ,  Sahashi Masashi
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 6  号： 12  ページ： 2962-2969  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 挿入された金属(IM)層(Pt,Ru,Crのような)は典型的にはCr_2O_3と磁気電気スイッチ反強磁性体/強磁性体交換バイアス薄膜系における強磁性体の作製した。IM層はCoの酸化を防ぎ,ブロッキング温度を高めるために「スペーサ層」として使用されている。本研究では,これらの薄膜系の磁気的性質は,IMのタイプに依存して変化することを見出し,それらはCoとIM薄膜の2層あるいは多層膜により再現できた。もIM層はX線磁気円偏光二色性データに基づくCo強磁性層によるスピン分極することを見出した。これらの結果は,IMは「スペーサ層」として別々に機能しないが,磁気電気スイッチCr_2O_3/強磁性体交換バイアス系におけるCo基積層強磁性膜の不可欠な構成要素であるも示唆した。さらに,いくつかの積層強磁性膜は低い一軸異方性エネルギー(J_k)が実用的なデバイス応用のための反強磁性体の磁気電気スイッチングエネルギーを減らす良い方法であるかもしれないを示し容易にすることを見出した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 磁気的性質 ,  *スイッチング ,  *磁気 ,  反強磁性体 ,  *界面 ,  *強磁性体 ,  多層膜 ,  *金属 ,  *薄膜 ,  *スイッチ ,  磁性薄膜 ,  スピン分極 ,  ブロッキング温度
準シソーラス用語： スペーサ層 ,  *交換バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 強磁性体 ,  界面 ,  交換バイアス ,  薄膜 ,  低エネルギー ,  磁気 ,  スイッチング