文献

J-GLOBAL ID：201802245938622950   整理番号：18A1010076

硫化鉛コロイド量子ドット(QD)の高次薄膜形成の最適化とその電気特性

Optimization of Highly-Ordered Thin-film Formation of Lead Sulphide Colloidal Quantum Dots (QDs) and Its Electrical Properties

著者 (7件)： SEPTIANTO Ricky D. (RIKEN, Saitama, JPN) ,  SEPTIANTO Ricky D. (Inst. Teknologi Bandung, Bandung, IDN) ,  BISRI Satria Z. (RIKEN, Saitama, JPN) ,  PROTESESCU Loredana (ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  KOVALENK Maksym (ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  ISKANDAR Ferry (Inst. Teknologi Bandung, Bandung, IDN) ,  IWASA Yoshihiro (RIKEN, Saitama, JPN)
資料名： 超分子化学と機能性材料に関する国際シンポジウム2018  (文部科学省科学研究費補助金(特別推進研究))
ページ： 79  発行年： 2018年 
JST資料番号： N20180342  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *硫化鉛 ,  *高次構造 ,  *構成 ,  最適化 ,  *量子ドット ,  *コロイド ,  *電気特性 ,  生産工程 ,  プロセス開発 ,  センサ ,  太陽光発電 ,  熱電素子 ,  非晶質 ,  キャリア移動度 ,  浸漬塗装 ,  不均一系反応 ,  超格子 ,  架橋【高分子】 ,  配位子交換 ,  原子間力顕微鏡 ,  *キャラクタリゼーション ,  *製品開発 ,  *製品品質
準シソーラス用語： *薄膜形成 ,  *コロイド量子ドット ,  製造プロセス ,  熱電デバイス ,  無定形質 ,  電荷キャリア移動度 ,  界面反応 ,  架橋形成 ,  AFM【顕微鏡】

分類 (5件)： 電気物性一般  (BM03010R) ,  無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  電子物性一般  (BM01000S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 硫化鉛 ,  コロイド量子ドット ,  薄膜形成 ,  最適化 ,  電気特性