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J-GLOBAL ID：201802245943281836   整理番号：18A1424547

抵抗スイッチングによる室温での交換バイアスの完全電気制御【JST・京大機械翻訳】

Full Electric Control of Exchange Bias at Room Temperature by Resistive Switching

著者 (15件)： Wei Lujun (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing, 210093, P. R. China) ,  Hu Zhenzhong (College of Telecommunication and Information Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210003, P. R. China) ,  Du Guanxiang (College of Telecommunication and Information Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, 210003, P. R. China) ,  Yuan Yuan (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing, 210093, P. R. China) ,  Wang Ji (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing, 210093, P. R. China) ,  Tu Hongqing (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing, 210093, P. R. China) ,  You Biao (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing, 210093, P. R. China) ,  You Biao (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing, 210093, P. R. China) ,  Zhou Shiming (Department of Physics, Tongji University, Shanghai, 200092, P. R. China) ,  Qu Jiangtao (School of Physics and the Australian Institute for Nanoscale Science and Technology, The University of Sydney, NSW, 2006, Australia) ,  Liu Hongwei (The Australian Centre for Microscopy and Microanalysis, The University of Sydney, NSW, 2006, Australia) ,  Zheng Rongkun (School of Physics and the Australian Institute for Nanoscale Science and Technology, The University of Sydney, NSW, 2006, Australia) ,  Hu Yong (College of Sciences, Northeastern University, Shenyang, 110819, P. R. China) ,  Du Jun (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing, 210093, P. R. China) ,  Du Jun (Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing, 210093, P. R. China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 30  号： 30  ページ： e1801885  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 交換バイアス(EB)の電気制御はエネルギー効率の良いスピントロニクスにおいて極めて重要である。過去10年間に多くの試みがなされてきたが,各々は操作に対するそれ自身の限界を有し,従って室温でのEBの完全な直接的で可逆的な電気的制御を短くしている。ここでは,Si/SiO_2/Pt/Co/NiO/Ptデバイスにおけるこの課題を達成するために,単極抵抗スイッチングにより新しいアプローチを提案した。一定の電圧を印加することにより,デバイスは高抵抗状態で明らかなEBを示すが,低抵抗状態ではEBは無視できる。NiO層中に形成する導電性フィラメントとCo-NiO界面近傍での破壊は,抵抗スイッチングとEB現象の組合せを決定する上で支配的な役割を果たすと考えられる。本研究は,多機能で不揮発性の磁気電気ランダムアクセスメモリデバイスを設計するための新しい方法を提供する。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電気制御 ,  磁気 ,  電圧 ,  エネルギー効率 ,  記憶装置 ,  スピントロニクス ,  非揮発性
準シソーラス用語： ランダムアクセス ,  多機能 ,  導電性フィラメント ,  *交換バイアス ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 導電性フィラメント ,  電気制御 ,  交換バイアス ,  抵抗スイッチング

分類 (5件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  分子構造と性質の実験的研究  (CB01020I) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 抵抗スイッチング ,  室温 ,  交換バイアス ,  電気制御