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J-GLOBAL ID：201802246011939577   整理番号：18A1021393

C_3N上の歪と水素化の役割の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First-principles study of the role of strain and hydrogenation on C₃N

著者 (8件)： Wang Dandan (Center for Advanced Analytical Science, c/o School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangzhou University, Guangzhou 510006, PR China) ,  Bao Yu (Center for Advanced Analytical Science, c/o School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangzhou University, Guangzhou 510006, PR China) ,  Wu Tongshun (Center for Advanced Analytical Science, c/o School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangzhou University, Guangzhou 510006, PR China) ,  Gan Shiyu (Center for Advanced Analytical Science, c/o School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangzhou University, Guangzhou 510006, PR China) ,  Han Dongxue (Center for Advanced Analytical Science, c/o School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangzhou University, Guangzhou 510006, PR China) ,  Han Dongxue (State Key Laboratory of Electroanalytical Chemistry, c/o Engineering Laboratory for Modern Analytical Techniques, Changchun Institute of Applied Chemistry, Chinese Academy of Science, Changchun, 130022, Jilin, PR China) ,  Niu Li (Center for Advanced Analytical Science, c/o School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangzhou University, Guangzhou 510006, PR China) ,  Niu Li (State Key Laboratory of Electroanalytical Chemistry, c/o Engineering Laboratory for Modern Analytical Techniques, Changchun Institute of Applied Chemistry, Chinese Academy of Science, Changchun, 130022, Jilin, PR China)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 134  ページ： 22-28  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： C_3Nは最近合成され,特定の物理的及び化学的性質を有することが示されている。本研究では,第一原理計算によるLi原子の電子的およびフォノン特性および吸着特性に及ぼす歪効果を調べた。フォノン分散は,C_3Nの結晶構造が14%までの引張歪下で動的安定であることを示した。計算結果は,C_3Nが,適用した引張歪が0%~12%で,バンドギャップが歪=9%で最大に達するので,常に間接ギャップ半導体であることを示した。一方,菌株が13%と14%であるとき,C_3Nは金属になる。Li原子は,0.43eVの拡散障壁を有するC_3N表面上のC-C六方晶サイトを占有し,異なる吸着配置の吸着エネルギーは歪と共に増加した。その上,フォノン分散計算とab initio分子動力学シミュレーションは,C_3N,C_3NH_3の完全水素化拡張が2つの安定な立体配座を有することを明らかにした。それにおいて,一つは4.09eVのバンドギャップを有する間接半導体であり,他方は光触媒応用に適した2.88eVの直接バンドギャップを有した。多様な構造と電子特性を持つ歪んだ水素化C_3Nはリチウムイオン電池と光電気化学の応用に新しい展望を提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 立体配座 ,  六方晶系 ,  フォノン分散 ,  *水素化 ,  フォノン ,  リチウム ,  リチウムイオン電池 ,  半導体 ,  計算機シミュレーション ,  *第一原理 ,  吸着 ,  バンドギャップ ,  結晶構造
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ ,  引張歪 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： C_3N ,  歪効果 ,  水素化 ,  第一原理研究

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 歪 ,  水素化 ,  役割 ,  第一原理 ,  研究