文献
J-GLOBAL ID:201802246124700404   整理番号:18A1941236

P(VDF-co-TrFE)圧電層の結合によるCFO薄膜の磁気電気効果【JST・京大機械翻訳】

The magnetoelectric effect of the CFO thin film by coupling a P(VDF-co-TrFE) piezoelectric layer
著者 (4件):
資料名:
巻: 124  号: 15  ページ: 154102-154102-7  発行年: 2018年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
CoFe_2O_4(CFO)薄膜をスピンキャスティング法と組み合わせたゾル-ゲル法により調製し,関連SEMとXRDの結果は,700°Cのアニーリング温度と共に元のゾルの9層スピニングが優れた磁気性能を持つこのCFO膜を得るための適切な条件であることを示した。続いてCFO膜を強誘電性共重合体ポリ(ビニリデンフルオリド-co-トリフルオロエチレン)[P(VDF-co-TrFE)]と混合した。得られたCFO/P(VDF-co-TrFE)二重層複合膜を275MV/mの高電場下で分極した後,P(VDF-co-TrFE)層は大きな誘電率(ε_33/ε_0=9.5)と高い圧電値(d_31=20pC/N)を有する通常の強誘電性の特性を示した。興味あることに,この電気的に分極したCFO/P(VDF-co-TrFE)膜の磁化は,電気歪効果が磁区の再配向に導き,CFO薄膜の面外方向に磁化容易軸再配向効果をもたらすので,1.8Tの磁場で85.58から99.15emu/cm3に増加した。結果として,CFOとP(VDF-co-TrFE)間の界面が約0.5の適切な適合係数を有する計算を通して,508.5MV/cm Oeの大きな磁気電気結合係数(α_E31)を得た。結果は,CFO/P(VDF-co-TrFE)二重層膜が,メモリ貯蔵とスピントロニクス素子の魅力的な候補として,潜在的なマルチフェロイック複合材料であることを示した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
強誘電体,反強誘電体,強弾性  ,  酸化物薄膜 

前のページに戻る