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J-GLOBAL ID：201802246188212349   整理番号：18A1065145

ARおよびVR応用における1000PPIモバイルディスプレイの高画質のためのAMOLED画素回路【JST・京大機械翻訳】

An AMOLED pixel circuit for high image quality of 1000 ppi mobile displays in AR and VR applications

著者 (4件)： Keum Nack-Hyeon (Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Hong Seong-Kwan (Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Chai Chong Chul (Samsung Display Co., Ltd., Gyeonggi-do, South Korea) ,  Kwon Oh-Kyong (Hanyang University, Seoul, South Korea)
資料名： Journal of the Society for Information Display  (Journal of the Society for Information Display)
巻： 26  号： 2  ページ： 71-78  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0996B  ISSN： 1071-0922  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,アクティブマトリックス有機発光ダイオード画素回路を提案し,拡張および仮想現実応用において,1000ppi分解能を有する5.87インチ移動ディスプレイの画質を改善した。3つの薄膜トランジスタ(TFT)と2つのキャパシタ(3T2C)から成る提案した画素回路は,TFTの数と低温多結晶シリコンTFTのしきい値電圧(Vth)とサブ閾値勾配(SS)の変化によって引き起こされる放出電流誤差を低減するために同時放出駆動法を採用する。同時放出駆動法を用いて,補償時間を従来の6つのTFTと1つのキャパシタ(6T1C)画素回路で達成された6.5μsから90μsまで増加させた。結果として,提案した3T2C画素回路の放出電流誤差は,VthとSSの両方の変動が±4σのとき,32番目のグレーレベルで±12LSBから±3最小ビット(LSB)に減少した。さらに,隣接する画素回路間の寄生容量によるクロストーク誤差と漏れ電流による両方のクロストーク誤差は,全体のグレーレベルにわたって±1LSB以下であることが達成された。したがって,提案した画素回路は,高画質を必要とするアクティブマトリックス有機発光ダイオードディスプレイに非常に適している。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 漏れ電流 ,  クロストーク ,  *画質 ,  漂遊容量 ,  薄膜トランジスタ ,  高分解能 ,  *表示装置 ,  コンデンサ ,  バーチャルリアリティ
準シソーラス用語： 放出電流 ,  サブ閾値 ,  閾値電圧 ,  *ピクセル回路 ,  *AMOLED ,  高画質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 高分解能ディスプレイ ,  AMOLED画素回路 ,  ヘッドマウントディスプレイ ,  AR/VR

分類 (1件)： 表示機器  (NC06030Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ar ,  VR ,  応用 ,  モバイル ,  ディスプレイ ,  高画質 ,  AMOLED ,  画素回路