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J-GLOBAL ID：201802246215525753   整理番号：18A2027618

1.7kV SiC MOSFETモジュールに基づく1kV Hブリッジパワーエレクトロニクスビルディングブロックの設計と試験【JST・京大機械翻訳】

Design and Testing of 1 kV H-bridge Power Electronics Building Block Based on 1.7 kV SiC MOSFET Module

著者 (4件)： Wang Jun (Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, Blacksburg, USA) ,  Burgos Rolando (Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, Blacksburg, USA) ,  Boroyevich Dushan (Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech, Blacksburg, USA) ,  Liu Zeng (State Key Lab of Electrical Insulation and Power Equipment, Xian Jiaotong University, Xian, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IPEC Niigata 2018 -ECCE Asia  ページ： 3749-3756  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,1.7kV SiC MOSFET電力モジュールに基づくパワーエレクトロニクスビルディングブロック(PEBB)設計を提示した。PEBB電力ステージは,モジュールコンバータを構築するためにカスケードできるHブリッジ回路である。PEBBアーキテクチャの進化を最初に紹介し,仕様を与え,次に,臨界PEBBコンポーネントの設計考察と解を示した。特に,積層DCバス,差動モードインダクタ,スマートゲートドライバ,高雑音イミュニティディジタル制御システム,およびDC給電補助電源を実現し,実証した。最後に,新しいハイブリッド電流モードスイッチングサイクル制御アプローチを提案し,SiC-PEBBベースのモジュラーマルチレベルバックコンバータ(MMBC)上で検証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 変換器 ,  雑音安定度 ,  電力供給 ,  ディジタル制御 ,  スイッチング ,  臨界 ,  *パワーエレクトロニクス ,  計算機アーキテクチャ ,  *炭化ケイ素 ,  電力
準シソーラス用語： 電流モード ,  補助電源 ,  差動モード ,  パワーモジュール ,  *ビルディングブロック , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  MOSFET ,  モジュール ,  設計 ,  試験