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J-GLOBAL ID：201802246286927356   整理番号：18A0175059

超高真空走査型トンネル顕微鏡を用いた電子源の構造観察

Structural Observation of Electron Emitting Tip Using UHV STM

著者 (5件)： 野田和希 (国立研究開発法人 産業技術総合研究所) ,  田中深幸 (国立研究開発法人 産業技術総合研究所) ,  渡邉騎通 (国立研究開発法人 産業技術総合研究所) ,  久保利隆 (国立研究開発法人 産業技術総合研究所) ,  清水哲夫 (国立研究開発法人 産業技術総合研究所)
資料名： Journal of the Vacuum Society of Japan  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 60  号： 11  ページ： 437-439(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 1882-2398  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電子源の評価には電界放射顕微鏡が用いられるが,電子源先端の構造を直接観察できない。そこで超高真空中で走査型トンネル顕微鏡を用いて構造観察することを試みた。電子源として多結晶W線と単結晶W<100>線を用いた。W線先端を2mol/LのKOH溶液に浸漬し,電解研磨して針状の電子源を作製した。電子源の頂点から走査型トンネル顕微鏡観察を行った。多結晶W線について同時にSEM観察を行った所200~700nm程度の粒子が多数観察され,走査型トンネル顕微鏡観察でも同様に多数の粒子が観察され,両観察像は1:1で対応した。単結晶W<100>電子源でも,各結晶面が両観察像で観察できた。また単結晶W<100>の先端部分にZrO₂を拡散させた試料も作製し,走査型トンネル顕微鏡により観察した。その結果,ZrO₂拡散により単結晶W(100)面がより円形に近いテラスとなることを確認できた。

シソーラス用語： *走査型トンネル顕微鏡 ,  *超高真空 ,  *電子源 ,  *タングステン ,  *顕微鏡観察 ,  単結晶 ,  多結晶 ,  結晶面 ,  粒子

分類 (1件)： 電子源,イオン源  (BD02020U)

引用文献 (6件)：

• 1) N. Watanabe, M. Tanaka and T. Shimizu: J. Vac. Sci. Technol. B, 33 (2015) 051809.
• 2) G. Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber and E. Weibel: Phys. Lett., 49 (1982) 57.
• 3) G. Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber and E. Weibel: Phys. Lett., 40 (1982) 178.
• 4) J. P. Ibe, P. P. Bey Jr., S. L. Brandow, R. A. Brizzolara, N. A. Burnham, D. P. Dilella, K. P. Lee, C. R. K. Marrian and R. J. Colton: J. Vac. Sci. Technol. A, 8 (1990) 3570.
• 5) A. H. V. van Veen, C. W. Hagen, J. E. Barth and P. Kruit: J. Vac. Sci. Technol. B, 19 (2001) 2038.

タイトルに関連する用語 (4件)： 高真空 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  電子源 ,  観察