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J-GLOBAL ID：201802246346700128   整理番号：18A0431377

HgGa_2Se_4結晶における励起子スペクトル【Powered by NICT】

Excitonic spectra in HgGa₂Se₄ crystals

著者 (2件)： Syrbu N.N. (Technical University of Moldova, Chisinau, Republic of Moldova) ,  Zalamai V.V. (Institute of Applied Physics, Academy of Sciences of Moldova, Chisinau, Republic of Moldova)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 76  ページ： 344-352  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 四励起子シリーズ(A,B,CおよびD)の基底状態と励起状態は,励起子とバンドのパラメータを決定した10KでHgGa_2Se_4結晶で発見された。電子mの有効質量は0.26m_0に等しいと正孔m,mとmの質量はBrilloinゾーンのΓ点でそれぞれ2.48m_0,2.68m_0と1.6m_0に等しかった。結晶場(Δ=70meV)とスピン-軌道相互作用(Δ=250meV)による分割価電子帯は,Brillouinゾーン中心で推定した。電子遷移領域(2 6 eV)における偏光E⊥cおよびEcの光学関数(n,εとε)をKramers-Kronig法により計算した。発見された特徴は,黄銅鉱型結晶の0Brillouin帯の既存の理論的エネルギーバンド構造計算と励起子バンド対称性に基づいて検討した。共鳴Raman散乱を調べた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Brillouin帯 ,  電子遷移 ,  *結晶 ,  励起状態 ,  偏光 ,  基底状態 ,  *励起子 ,  黄銅鉱型結晶 ,  有効質量 ,  対称性 ,  正孔 ,  価電子バンド ,  結晶場 ,  共鳴Raman散乱
準シソーラス用語： エネルギー帯 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 共鳴Raman散乱 ,  励起子ポラリトン分枝 ,  電子と正孔の有効質量 ,  ルミネセンス ,  HgGa_2Se_4化合物

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (3件)： 結晶 ,  励起子 ,  スペクトル