文献

J-GLOBAL ID：201802246399786205   整理番号：18A0776389

実際の電子慣性による非理想バルーニングモード不安定性

Non-Ideal Ballooning Mode Instability with Real Electron Inertia

著者 (6件)： SETO Haruki (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology) ,  YAGI Masatoshi (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology) ,  AIBA Nobuyuki (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology) ,  MATSUYAMA Akinobu (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology) ,  DUDSON Benjamin D. (York Plasma Institute, Department of Physics, University of York) ,  XU Xueqiao (Lawrence Livermore National Laboratory)
資料名： Plasma and Fusion Research (Web)  (Plasma and Fusion Research (Web))
巻： 11  ページ： 1203122(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： U0045A  ISSN： 1880-6821  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 初期の数値研究で用いられている現実的な値よりも長い電子表皮深さ(ESD)による電子慣性が非理想的バルーニングモード(NIBM)に及ぼす影響を,線形化3場簡約化MHDモデルにより数値的に調べた。本論文においては,NIBMの成長率の抵抗率依存性を調べるために4つの異なるESDd_e^*=0,d_e,√(10)d_e,10d_eを用いる。ここでd_e=c₀√(ε₀m_e/n_ee²)は実際のESD及びd_e^*=10d_eは無衝突バルーニングモード(CBM)の数値研究でKlevaとGuzdarが用いたESDのオーダーに対応する。実際のESDのd_e^*=d_eの場合は,抵抗性バルーニングモード(RBM)からCBMへの遷移が周辺部の抵抗率に対応した条件で生じ,一方d_e^*=√(10)d_eと10d_eの場合は電子慣性効果は過大評価され,成長率はほとんど抵抗率には依存しない。これらの結果は,周辺部安定性と乱流解析では実際のESDが重要な要因の一つであることを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電子 ,  *慣性 ,  簡約化 ,  MHD方程式 ,  *深さ ,  *バルーニング不安定性 ,  成長率 ,  解析 ,  安定性解析 ,  固有関数 ,  電気抵抗率 ,  表皮効果 ,  プラズマシミュレーション ,  輸送現象 ,  *乱流
準シソーラス用語： *プラズマ乱流 ,  *慣性効果 ,  線形解析 ,  抵抗率 ,  表皮深さ ,  *不安定性解析 ,  *乱流輸送

著者キーワード (4件)： 非理想バルーニングモード ,  電子慣性効果 ,  還元MHDモデル ,  線形解析

分類 (1件)： プラズマ波,プラズマ不安定性  (BJ02050T)

引用文献 (13件)：

• [1] B.A. Carreras et al., Phys. Rev. Lett. 50, 503 (1983).
• [2] L. Garcia et al., Phys. Plasmas 6, 107 (1999).
• [3] F. Porcelli, Phys. Rev. Lett. 66, 425 (1991).
• [4] K. Itoh et al., Report NIFS-187 (1992).
• [5] J.W. Conner, Plasma Phys. Control. Fusion 35, 757 (1993).

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子 ,  慣性 ,  バルーニング ,  不安定性