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J-GLOBAL ID：201802246507950508   整理番号：18A0190627

6T SRAMにおける垂直ナノプレートFETのための金属ゲート仕事関数変動の解析【Powered by NICT】

Analysis of metal gate work-function variation for vertical nanoplate FET in 6-T SRAMs

著者 (4件)： Ko Kyul (Inter-university Semiconductor Research Center (ISRC) and Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul 151-742, Republic of Korea) ,  Son Dokyun (Inter-university Semiconductor Research Center (ISRC) and Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul 151-742, Republic of Korea) ,  Kang Myounggon (Department of Electronics Engineering, Korea National University of Transportation, Chungju-City, 380-702, Republic of Korea) ,  Shin Hyungcheol (Inter-university Semiconductor Research Center (ISRC) and Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul 151-742, Republic of Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SNW  ページ： 61-62  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,仕事関数変化(WFV)は技術計算機支援設計(TCAD)シミュレーションを用いて6T SRAMの5nmノードゲートオールアラウンド(GAA)垂直ナノプレートFET(NP VFET)について研究した。WFV効果が激しくなるとして,SRAMビットセルにおけるNP VFETの粒径(GS)とチャネル領域に関して正確な指針WFV効果を調べた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *仕事関数 ,  粒径 ,  シミュレーション ,  CAD【計算機】 ,  *SRAM
準シソーラス用語： TCAD ,  *メタルゲート ,  *ナノプレート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： SRAM ,  垂直 ,  ナノプレート ,  FET ,  金属ゲート ,  仕事関数 ,  解析