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J-GLOBAL ID：201802246651933906   整理番号：18A2063836

第一原理計算によるSr_3MgSi_2O_8-δ系の結晶構造と電子構造変化の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigations of crystal structures and the electronic structure changes of Sr₃MgSi₂O₈-Sr₃MgSi₂O_8-δ systems by first-principles calculation

著者 (5件)： Zhang Meng (Faculty of Chemistry, Northeast Normal University, 5268 Renmin Street, Changchun 130024, China) ,  Zhang Meng (School of Science, Shandong Jiaotong University, 5001 Haitang Road, Jinan 250357, China) ,  Song Ting (School of Science, Shandong Jiaotong University, 5001 Haitang Road, Jinan 250357, China) ,  Song Ting (School of Physics, Northeast Normal University, 5268 Renmin Street, Changchun 130024, China) ,  Zhang Xinyang (Xinjiang Laboratory of Phase Transitions and Microstructures in Condensed Matters, College of Physical Science and Technology, Yili Normal University, Yining 835000, China)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 712  ページ： 54-59  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sr_3MgSi_2O_8-δ材料の結晶構造,電子構造,および酸素空孔形成エネルギーを第一原理計算によって研究した。Sr_3MgSi_2O_8に対して,バンドギャップは4.99eVと計算された。Sr_3MgSi_2O_8-δに対して,Femi準位に重なる新しいバンドが伝導帯(CB)と価電子帯(VB)の間に現れた。δ=0.125のSr_3MgSi_2O_8-δの酸素空孔形成エネルギーを計算した。その値は~12.00eVである。さらに,酸素空格子点がSr_3MgSi_2O_8-δ格子上に分散していることが分かった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 伝導バンド ,  *計算 ,  *電子構造 ,  バンドギャップ ,  *結晶構造 ,  価電子バンド
準シソーラス用語： 形成エネルギー ,  酸素空格子点 ,  *第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 酸素空孔 ,  シリケート ,  長い持続ルミネセンス ,  ABINITパッケージ

分類 (2件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 第一原理計算 ,  結晶構造 ,  電子構造 ,  研究