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J-GLOBAL ID：201802246799758854   整理番号：18A2041421

集束電子ビーム誘起蒸着により生成したシリコンピラー構造上のナノエミッタ【JST・京大機械翻訳】

Nano Emitters on Silicon Pillar Structures generated by a Focused Electron Beam Induced Deposition

著者 (4件)： Lawrowski R. (Faculty of General Sciences and Microsystems Technology, OTH Regensburg, Regensburg, 93053, Germany) ,  Langer C. (Faculty of General Sciences and Microsystems Technology, OTH Regensburg, Regensburg, 93053, Germany) ,  Schreiner R. (Faculty of General Sciences and Microsystems Technology, OTH Regensburg, Regensburg, 93053, Germany) ,  Sellmair J. (NanoElektroTechnik GmbH, Freising, 85356, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IVNC  ページ： 1-2  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノエミッタを,シリコンピラーの上にトリメチル-(メチルシクロペンタジエンイル)白金(IV)の集束電子ビーム誘起堆積によって蒸着した。ナノエミッタは,ピッチ50μmの16ピラーの二次配列アレイの4ピラーまでの中央に正確に位置した。真空容器中で約10~9mbarの圧力で50μmの雲母スペーサを持つダイオード構成で積分電界放出測定を行った。Fowler-Nordheimプロットはn型シリコン材料と金属針に対して期待されるような線形挙動を示した。最も有望な試料のI-V測定は,600V(12mV/m)の電圧で2μmまでの積分放出電流と約300Vの1nAの電流に対する開始電圧を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ダイオード ,  真空容器 ,  電圧 ,  電流 ,  *蒸着 ,  電界放出 ,  *電子ビーム ,  雲母 ,  線形性 ,  スペーサ ,  積分 ,  *ケイ素 ,  *集束
準シソーラス用語： 放出電流 ,  電子ビーム誘起堆積 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 集束 ,  電子ビーム ,  誘起 ,  蒸着 ,  シリコン ,  ピラー ,  エミッタ