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J-GLOBAL ID：201802246812031576   整理番号：18A2041500

W{113}表面上に成長させたCr薄膜からのスピン分極電子の電界放出【JST・京大機械翻訳】

Field-emission of spin-polarized electrons from Cr thin film grown on W{113} surfaces

著者 (5件)： Nagai Shigekazu (Graduate School of Engineering, Mie University, Tsu, 514-8507, Japan) ,  Miyazaki Kento (Graduate School of Engineering, Mie University, Tsu, 514-8507, Japan) ,  Kunoh Kazuya (Graduate School of Engineering, Mie University, Tsu, 514-8507, Japan) ,  Iwata Tatsuo (Graduate School of Engineering, Mie University, Tsu, 514-8507, Japan) ,  Hata Koichi (Graduate School of Engineering, Mie University, Tsu, 514-8507, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IVNC  ページ： 1-2  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1000Kでのアニーリング後にW{113ファセット上に成長させたCr薄膜からの電界放出電子のスピン分極を室温で測定した。30%のスピン分極の大きさはCr(001)表面のそれの2/3であり,これはCr(001)層中の多数のスピンを持つ原子数の割合に対応する。一方,Cr/W{113からの放出電流は従来の電界エミッタに匹敵し,スピン分極電子源に対する性能指数は,以前のストラットにおけるCr/W(001)エミッタに対するそれよりも2桁高かった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ファセット ,  *スピン分極 ,  性能指数 ,  焼なまし ,  *薄膜 ,  電子源 ,  *電界放出 ,  *クロム
準シソーラス用語： 電界エミッタ ,  放出電流 ,  原子数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 成長 ,  Cr ,  薄膜 ,  スピン分極 ,  電子 ,  電界放出