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J-GLOBAL ID：201802246854801834   整理番号：18A1035243

Ba_4Ni_2-xCo_xFe_36O_60の磁気特性に及ぼすコバルト置換の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of cobalt substitution on magnetic properties of Ba4Ni2-xCoxFe36O60 hexaferrite
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著者 (9件)：
Jiang Xiaona

Jiang Xiaona について

(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China について

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Li Songze

Li Songze について

(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China について

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Yu Zhong

Yu Zhong について

(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China について

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Harris Vincent G.

Harris Vincent G. について

(Department of Electrical and Computer Engineering, Northeastern University, Boston, Massachusetts 02115, USA)

Department of Electrical and Computer Engineering, Northeastern University, Boston, Massachusetts 02115, USA について

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Su Zhijuan

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(Department of Electrical and Computer Engineering, Northeastern University, Boston, Massachusetts 02115, USA)

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Sun Ke

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(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China について

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Wu Chuanjian

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(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China について

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Guo Rongdi

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(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)

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Lan Zhongwen

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(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)

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資料名：
AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))

AIP Advances (Web) について


巻： 8  号： 5  ページ： 056218-056218-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Ba_4Ni_2-xCo_xFe_36o_60(x=0.2,0.4,0.6,0.8)の組成を有する共置換U型六方晶フェライトバルクを,従来のセラミック法によって調製した。飽和磁化(4πM_s),保磁力(H_c),およびCurie温度(T_c)を研究した。異方性定数(K_1)を飽和に対するアプローチの法則に従って磁化曲線(M-H)を適合させることによって計算して,異方性場(H_a)をそれに応じて計算した。結果は,すべての試料がU型六方晶系結晶構造を有することを明らかにした。コバルト置換量(x)の増加と共に,格子定数(aとc)はNi2+(0.72Å)Co2+(0.74Å)イオンの類似半径によりほぼ同じままである。4πM_sは上昇したが,H_c H_cは逆の傾向を示した。K_1とH_aは,コバルト置換がc軸配向を弱めるので,単調に減少する。さらに,T_cは467°Cから484°Cに増加した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】
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シソーラス用語/準シソーラス用語
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格子定数

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Curie温度

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磁化曲線

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分類
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セラミック・磁器の性質 
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,  酸化物結晶の磁性 
(BM06050E)

酸化物結晶の磁性 について

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