文献

J-GLOBAL ID：201802246977418240   整理番号：18A0968766

グラフェン-SiO_2界面を横切る熱輸送の屈曲共鳴機構【JST・京大機械翻訳】

Flexural resonance mechanism of thermal transport across graphene-SiO₂ interfaces

著者 (5件)： Ong Zhun-Yong (Institute of High Performance Computing, A*STAR, Singapore, Singapore 138632) ,  Qiu Bo (School of Mechanical Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  Xu Shanglong (School of Mechanical Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  Ruan Xiulin (School of Mechanical Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  Pop Eric (Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 11  ページ： 115107-115107-9  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)結晶とその基板の間の次元的に不整合な界面での熱散逸の微視的機構を理解することは,2D材料に基づくデバイスの熱管理にとって重要である。ここでは,分子動力学(MD)シミュレーションと非平衡Green関数(NEGF)を用いて,グラフェン-SiO_2界面における熱(Kapitza)輸送への格子寄与を研究した。Kapitzaコンダクタンスの78%が20THz以下の曲げ音響モードに起因し,共鳴機構が界面フォノン輸送を支配することを見出した。MDとNEGFは古典的Kapitzaコンダクタンスを300Kでそれぞれh_K≒10~16MWK-1m-2と推定し,既存の実験観測と一致した。量子力学補正を考慮すると,この値は300Kで約28%低い。著者らの計算は,低周波数におけるグラフェン-SiO_2界面を横切るフォノン透過の線形周波数依存性により,低温(T<100K)において,h_KがT2としてスケールすることを示唆した。本研究は,グラフェンからその基板への熱散逸における曲げ音響フォノンの役割を明らかにした。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *共鳴 ,  *界面 ,  *グラフェン ,  不整合 ,  フォノン ,  二次元 ,  コンダクタンス ,  量子論 ,  周波数依存性 ,  分子動力学 ,  音響モード ,  熱管理
準シソーラス用語： 音響フォノン ,  熱散逸 ,  *熱輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 比熱・熱伝導一般  (BL05021E)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  界面 ,  熱輸送 ,  屈曲 ,  共鳴