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J-GLOBAL ID：201802247061181933   整理番号：18A0145957

超鮮明な,高透明性,及び超薄量子ドット発光ダイオード【Powered by NICT】

Extremely Vivid, Highly Transparent, and Ultrathin Quantum Dot Light-Emitting Diodes

著者 (20件)： Choi Moon Kee (Center for Nanoparticle Research, Institute for Basic Science (IBS), Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Choi Moon Kee (School of Chemical and Biological Engineering, Institute of Chemical Processes, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Yang Jiwoong (Center for Nanoparticle Research, Institute for Basic Science (IBS), Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Yang Jiwoong (School of Chemical and Biological Engineering, Institute of Chemical Processes, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Kim Dong Chan (Center for Nanoparticle Research, Institute for Basic Science (IBS), Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Kim Dong Chan (School of Chemical and Biological Engineering, Institute of Chemical Processes, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Dai Zhaohe (Center for Mechanics of Solids, Structures and Materials, Department of Aerospace Engineering and Engineering Mechanics, Department of Biomedical Engineering, Texas Materials Institute, University of Texas at Austin, Austin, TX, 78712, USA) ,  Kim Junhee (Center for Nanoparticle Research, Institute for Basic Science (IBS), Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Kim Junhee (School of Chemical and Biological Engineering, Institute of Chemical Processes, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Seung Hyojin (Center for Nanoparticle Research, Institute for Basic Science (IBS), Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Seung Hyojin (School of Chemical and Biological Engineering, Institute of Chemical Processes, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Kale Vinayak S. (Center for Nanoparticle Research, Institute for Basic Science (IBS), Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Kale Vinayak S. (School of Chemical and Biological Engineering, Institute of Chemical Processes, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Sung Sae Jin (Research Institute of Advanced Materials, Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Park Chong Rae (Research Institute of Advanced Materials, Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Lu Nanshu (Center for Mechanics of Solids, Structures and Materials, Department of Aerospace Engineering and Engineering Mechanics, Department of Biomedical Engineering, Texas Materials Institute, University of Texas at Austin, Austin, TX, 78712, USA) ,  Hyeon Taeghwan (Center for Nanoparticle Research, Institute for Basic Science (IBS), Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Hyeon Taeghwan (School of Chemical and Biological Engineering, Institute of Chemical Processes, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Kim Dae-Hyeong (Center for Nanoparticle Research, Institute for Basic Science (IBS), Seoul, 08826, Republic of Korea) ,  Kim Dae-Hyeong (School of Chemical and Biological Engineering, Institute of Chemical Processes, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 30  号： 1  ページ： ROMBUNNO.201703279  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明スクリーン上に情報を表示する次世代エレクトロニクスの新しい機会を提供する,拡張現実感デバイス,スマート外科ガラス,スマート窓のような。顕著な輝度と透明度が明らか背景オーバービュー鮮明な画像を示すために「シースルー」ディスプレイをに必須である。ここで透明量子ドット発光ダイオード(Tr QLEDs)は高輝度(底部:≒43000Cd m~ 2,トップ≒30000Cd m~ 2,計9Vで≒73000Cd m~ 2),優れた透過率(550nmで90%,可視領域で84%),及び超薄形状因子(≒2.7μm厚さ)を報告する。これらの優れた特性は,新しい電子輸送層(ETL)と設計された量子ドット(QD)によって達成される。超薄アルミナ被覆層をもつZnOナノ粒子集合体,ETLは活性層の耐久性,およびQDへのバランス電子/正孔注入,非放射再結合過程を防止することを劇的に増大させる。さらに,QD構造はさらにデバイス構造を完全に利用するために最適化した。Tr QLEDsの超薄特性を種々の形状物体に対する共形統合を可能にした。最後に,赤,緑,青のTr QLEDs(~ 1においては,513画素)の高分解能パターン形成は,フルカラー透明ディスプレイの可能性を示した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 耐久性 ,  透明度 ,  *量子ドット ,  輝度 ,  素子構造 ,  表示装置 ,  *発光ダイオード ,  高分解能 ,  透過率 ,  最適化 ,  凝集体 ,  電子技術 ,  ガラス ,  パターン形成
準シソーラス用語： 電子輸送層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 発光ダイオード ,  量子ドット ,  透明ディスプレイ ,  超薄エレクトロニクス ,  ウェアラブルエレクトロニクス

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  コロイド化学一般  (CB11010C)

タイトルに関連する用語 (3件)： 透明性 ,  量子ドット ,  発光ダイオード