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J-GLOBAL ID：201802247203856757   整理番号：18A1490425

ゲルキャスティングにより作製した窒化ケイ素セラミックスのXバンドにおける誘電応答に及ぼす温度の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of temperature on dielectric response in X-band of silicon nitride ceramics prepared by gelcasting

著者 (5件)： Shao Shiyu (School of Minerals Processing and Bioengineering, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha 410083, China) ,  Luo Heng (School of Minerals Processing and Bioengineering, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha 410083, China) ,  Deng Lianwen (School of Minerals Processing and Bioengineering, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha 410083, China) ,  He Jun (School of Minerals Processing and Bioengineering, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha 410083, China) ,  Huang Shengxiang (School of Minerals Processing and Bioengineering, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha 410083, China)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 7  ページ： 075127-075127-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超音速航空機における劇的な空力加熱効果により,波動伝達誘電体セラミック機能化レードームの動作性能は温度と酸化に強く依存する。本論文では,広い温度範囲(25°C~800°C)にわたるゲルキャスティングによるSi_3N_4セラミックスにおけるマイクロ波誘電応答の進展を実験的および理論的に調べた。特に,評価された温度範囲にわたる実際の誘電率の相対的な増加率は8.2GHzで4.46%,12.4GHzで8.67%であるが,虚部誘電率は0.06未満である。温度依存分極結合電荷と減衰係数を考慮して,Si_3N_4セラミックに対するLorentz補正による修正誘電緩和モデルを確立した。これは実験結果の発展と良く一致した。さらに,最良のフィッティング結果は,電子E_a(15.46~17.49KJ/mol)の活性化エネルギーが格子E_b(33.29~40.40KJ/mol)の活性化エネルギーより小さいことを示した。それは電子と核の間の結合力が格子の共有結合力より低い。さらに,熱処理後の誘電率の優れた回復可能な特徴は,高温環境で使用されるレードーム材料のための固体基礎をもたらす。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,  電荷 ,  誘電率 ,  活性化エネルギー ,  温度依存性 ,  レードーム ,  *セラミック ,  減衰定数 ,  誘電緩和 ,  分極 ,  マイクロ波 ,  熱処理
準シソーラス用語： *誘電応答 ,  *Xバンド ,  *ゲルキャスティング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲルキャスティング ,  作製 ,  窒化ケイ素 ,  セラミックス ,  Xバンド ,  誘電応答