文献

J-GLOBAL ID：201802247365666184   整理番号：18A1777386

還元酸化グラフェン(RGO)の電気伝導率と電荷移動抵抗に及ぼす銅添加の影響【JST・京大機械翻訳】

The influence of copper addition on the electrical conductivity and charge transfer resistance of reduced graphene oxide (rGO)

著者 (4件)： Iskandar Ferry (Department of Physics, Faculty of Mathematics and Natural Sciences, Institut Teknologi Bandung, Jl. Ganesha 10, Bandung, 40132, Indonesia. [e-mail]) ,  Abdillah Oktaviardi Bityasmawan ,  Stavila Erythrina ,  Aimon Akfiny Hasdi
資料名： New Journal of Chemistry  (New Journal of Chemistry)
巻： 42  号： 19  ページ： 16362-16371  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0785A  ISSN： 1144-0546  CODEN： NJCHE5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅の添加による還元酸化グラフェン(rGO)の電気伝導率と電荷移動抵抗(R_ct)を報告した。銅添加によるrGO試料を,マイクロ波支援技術を用いたその場化学的剥離により合成することに成功した。アニーリングを種々の温度で行い,最良の電気伝導率性能を持つ試料の最適アニーリング温度を決定した。得られた試料を減衰全反射-Fourier変換赤外(ATR-FTIR)特性化,X線回折(XRD),Raman分光法,エネルギー分散X線(EDX)分光法,走査電子顕微鏡(SEM),四点プローブ及び電気化学インピーダンス分光法(EIS)を用いて特性化した。1wt%の銅を添加し,300°Cで45分間アニーリング処理したrGO試料に対して,24.85Scm-1の最も高い伝導率値が得られた。試料の電気化学的性質を電気化学インピーダンス分光法(EIS)を用いて特性化し,1wt%の銅を添加した試料Bに対して3.86Ωの電荷移動抵抗(R_ct)値をもたらした。この報告では,rGOの電気伝導率および電荷移動抵抗値に及ぼすCu,Cu_2OおよびCuOの影響に対する可能な反応機構および説明についても述べた。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線 ,  X線回折 ,  焼なまし ,  赤外線 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  *電気伝導率 ,  プローブ ,  マイクロ波 ,  *銅 ,  反応機構 ,  キャラクタリゼーション ,  Raman分光法
準シソーラス用語： *電荷移動抵抗 ,  *伝導率 ,  *還元型酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 還元酸化グラフェン ,  RGO ,  電気伝導率 ,  電荷移動抵抗 ,  銅添加