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J-GLOBAL ID：201802247375903023   整理番号：18A0514083

4ガリウムインジウムプローブを用いて研究した単分子層ペンタセン電界効果トランジスタに及ぼす初期ガス暴露の影響【Powered by NICT】

Initial gas exposure effects on monolayer pentacene field-effect transistor studied using four gallium indium probes

著者 (6件)： Yoshimoto Shinya (The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan) ,  Miyahara Ryosuke (The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan) ,  Yoshikura Yuki (The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan) ,  Tang Jiayi (The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan) ,  Mukai Kozo (The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan) ,  Yoshinobu Jun (The Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 54  ページ： 34-39  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,単分子層ペンタセンの電気輸送特性は酸素,窒素,およびアルゴンの気体分子への曝露の少量の高感度であり,独立駆動四ガリウムインジウム(GaIn)プローブを用いたことを報告する。液体金属GaInプローブを真空チャンバ内で単分子層OFET膜の非破壊伝導率電極として使用した。単層ペンタセンの作製と大気空気へ曝すことなく四プローブ測定を行った。四GaInプローブを電極プローブでの接触抵抗を含めた総合的な特性から別々にチャネルの電気伝導率を測定するためのその場使用した。結果は1L(10 6Torr・s)の酸素曝露は単分子層膜中の元の値の8%に移動度を減少させることを示し,還元は不可逆的であり,すなわち,移動度は気体分子の除去後元の値を回復しなかった。気体分子の物理吸着はガス曝露効果に関与し,窒素とアルゴンの化学的に不活性ガスも移動度を減少させるからである。光電子分光法と原子間力顕微鏡測定の結果と共にこれらの知見を利用して,還元は単分子層島の合体によって形成された結晶粒界での物理吸着に起因すると仮定した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 原子間力顕微鏡 ,  接触抵抗 ,  *単分子層 ,  物理吸着 ,  アルゴン ,  酸素 ,  電気伝導率 ,  窒素 ,  *FET【トランジスタ】 ,  結晶粒界 ,  移動度 ,  チャネル ,  *プローブ ,  ポリアセン
準シソーラス用語： 気体分子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 有機電界効果トランジスタ ,  ペンタセン ,  単原子層 ,  ガス曝露 ,  ガリウムインジウム(GaIn) ,  4プローブ測定

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  四環以上の炭素縮合多環化合物  (CF06090C)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (6件)： 研究 ,  単分子層 ,  ペンタセン ,  電界効果トランジスタ ,  初期 ,  暴露