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J-GLOBAL ID:201802247571356173   整理番号:18A1428602

1ポット光化学アプローチを用いたCdS/ZnSシェル成長によるCdSe量子ドットのトラップ状態放出の完全消光と染料光分解への応用【JST・京大機械翻訳】

Completely quenching of the trap states emission of CdSe QDs by CdS/ZnS shell growth using a one pot photochemical approach and application for dye photo-degradation
著者 (3件):
資料名:
巻: 203  ページ: 723-729  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0731A  ISSN: 0022-2313  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,CdSe QDをマイクロ波活性化法により成長させた。次に,TGAのUV感度を用いて,CdSシェルをCdSeコア上に成長させ,続いてZnSをCdSe/CdS QD上に保護した。合成したQDをXRD,FTIR,EDAX,UV-Vis及びPL分析により特性化した。CdSe QDは,約600nmのピークをもつ500~800nmの間の広いバンド表面トラップ状態の発光を示した。この発光はCdSシェル成長後に減少し,ZnSシェル成長と狭いバンド端発光の後に完全にクエンチされ,シェルの成長を成功裏に確認した。合成したQDsの光触媒活性を,メチルオレンジ(MO)とメチレンブルー(MB)を汚染物質として用いて調べた。CdSeは光分解に対して良好な光触媒活性を示し,その活性はCdSシェルとCdS/ZnSシェル成長後にかなり増加した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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半導体のルミネセンス  ,  無機化合物一般及び元素  ,  無機化合物のルミネセンス 
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