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J-GLOBAL ID：201802247581050662   整理番号：18A0202004

SRAMのクロスバーセクタアドレス方式【Powered by NICT】

Crossbar sector addressing scheme on SRAMs

著者 (4件)： Spyridopoulos Lazaros (Informatics Dept., Aristotle University of Thessaloniki, 54124 Thessaloniki, Greece) ,  Konofaos Nikos (Informatics Dept., Aristotle University of Thessaloniki, 54124 Thessaloniki, Greece) ,  Simopoulos Theodoras (Computer Engineering & Informatics Dept. University of Patras, 26500 Rio, Patra, Greece) ,  Alexiou George Ph. (Computer Engineering & Informatics Dept. University of Patras, 26500 Rio, Patra, Greece)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PACET  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 記憶単語を形成する細胞の列は,メモリはアクセスされる各時間を検討し,典型的なメモリ・アドレッシング機能は減少したアドレス柔軟性の欠点,厳密なアドレッシング法に由来すると限界処理をもたらした。本研究では,クロスバ・アドレス方式,メモリは二次元方法で取扱われており,各方向に二復号器を用いてを提示し,実装した。クロスバアドレッシングは,参考文献に挙げられるが,SRAMメモリに関する既知の実現されていない。はこの方式新しいセクタアドレス方式を提案し,クロスバーアドレッシングに基づいて拡張した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *SRAM ,  復号器 ,  単語 ,  記憶装置 ,  番地付 ,  二次元 ,  柔軟性
準シソーラス用語： *アドレス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (1件)： SRAM