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J-GLOBAL ID：201802247660265674   整理番号：18A0615618

CVD反応器中のSi(100)表面の成長からの塩素原子の除去のための新しい経路【Powered by NICT】

Novel pathways for elimination of chlorine atoms from growing Si(100) surfaces in CVD reactors

著者 (4件)： Kunioshi Nilson (Graduate School of Creative Science and Engineering, Waseda University, Japan) ,  Hagino Sho (Graduate School of Creative Science and Engineering, Waseda University, Japan) ,  Fuwa Akio (Graduate School of Creative Science and Engineering, Waseda University, Japan) ,  Yamaguchi Katsunori (Graduate School of Creative Science and Engineering, Waseda University, Japan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 441  ページ： 773-779  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長するSi(100)表面からの塩素原子の脱離につながる反応は異なるサイズと形状のシリコン原子のクラスタを用いて,理論のUB3LYP/6 31g(d,p)レベルでシミュレートした。(s)は表面と(g)気相化学種の吸着種を示す型SiCl_2(s)~+2H_2(g)の反応は二段階:SiCl_2(s)+H_2(g)→SiHCl(s)+HCl(g)およびSiHCl(s)+H_2(g)→SiH_2(s)+HCl(g)中で進行することを見出し,それぞれが約55kcal/molの活性化エネルギーは,文献で公表された実験値に匹敵する値を持っていた。添加では,結果は,Si(100)表面の不動態化は正準エピタキシャル成長に導く反応を支持し,シリコン堆積前に表面を不動態化の利便性のためのもっともらしい説明を提供することを示唆した。ここで解析した反応は,Si(100)表面のエピタキシャル成長の機構における重要な段階として見ることができる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： クラスタ ,  不動態化 ,  活性化エネルギー ,  脱着 ,  気相 ,  化学種 ,  ケイ素 ,  *反応器 ,  エピタクシー ,  吸着種 ,  *シリコン(100) ,  改変

著者キーワード (3件)： シリコンエピタキシャル成長 ,  反応動力学 ,  表面化学

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (6件)： CVD ,  反応器 ,  Si ,  成長 ,  塩素原子 ,  経路