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J-GLOBAL ID：201802247663196136   整理番号：18A0843562

イオン注入による注入GaAsの表面近傍層の誘電関数,化学および原子組成【JST・京大機械翻訳】

Dielectric functions, chemical and atomic compositions of the near surface layers of implanted GaAs by In⁺ ions

著者 (7件)： Kulik M. (Joint Institute for Nuclear Research, St. 6 Joliot-Curie, Dubna, Moscow 141980, Russia) ,  Kulik M. (Institute of Physics, Maria Curie-Sklodowska University, Sq. 1 Maria Curie-Sklodowska, 20-031 Lublin, Poland) ,  Kolodynska D. (Faculty of Chemistry, Maria Curie-Sklodowska University, Sq. 2 Maria Curie-Sklodowska, 20-031 Lublin, Poland) ,  Bayramov A. (Institute of Physics, ANAS, AZ-1143 Baku, Azerbaijan) ,  Drozdziel A. (Institute of Physics, Maria Curie-Sklodowska University, Sq. 1 Maria Curie-Sklodowska, 20-031 Lublin, Poland) ,  Olejniczak A. (Faculty of Chemistry, Nicolaus Copernicus University, St. Gagarina 7, Torun, Poland) ,  Zuk J. (Institute of Physics, Maria Curie-Sklodowska University, Sq. 1 Maria Curie-Sklodowska, 20-031 Lublin, Poland)
資料名： Spectrochimica Acta. Part A. Molecular and Biomolecular Spectroscopy  (Spectrochimica Acta. Part A. Molecular and Biomolecular Spectroscopy)
巻： 198  ページ： 222-231  発行年： 2018年 
JST資料番号： E0128B  ISSN： 1386-1425  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (100)GaAsの表面にIn+イオンを照射した。注入試料を800°Cで等圧アニールし,誘電関数,原子の表面原子濃度,及びこれらの注入半導体試料中の表面近傍層の化学組成を得た。上記の量の研究において,分光エリプソメトリ(SE),Rutherford後方散乱分光分析(RBSA)およびX線光電子分光法(XPS)を用いた。約3.0eVのフォノンエネルギーにおける誘電関数の形状スペクトルの変化,In+イオンの拡散および化学組成変化をイオン注入および熱処理後に観測した。In+イオンによるGaAsからのGaイオンの置換により,新しい化合物InAsが形成された。相対量Ga_2O_3とAs_2O_3比は,試料の熱処理後にフルエンスが増加すると,自然酸化物層で増加した。さらに,InO_2の量は熱処理前の照射イオンの値の増加と共に増加することが分かった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸化物 ,  ヒ化インジウム ,  化学組成 ,  *イオン注入 ,  Rutherford後方散乱 ,  *イオン ,  熱処理 ,  *誘電関数 ,  フルエンス ,  焼なまし ,  *ヒ化ガリウム ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： 自然酸化物 ,  ガリウムイオン ,  分光偏光解析法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 天然酸化物 ,  イオン注入 ,  インジウムイオン ,  ひ化ガリウム ,  XPS法 ,  RBS法

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  有機化合物の赤外・Ramanスペクトル(分子)  (BH06033S)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン注入 ,  注入 ,  GaAs ,  誘電関数 ,  化学