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J-GLOBAL ID：201802247709977320   整理番号：18A1087430

Zintl相化合物α-BaZn2P2の合成,構造と性能【JST・京大機械翻訳】

Synthesis, Structure, and Properties of Zintl Phase Compound α-BaZn2P2

著者 (5件)： Bai Mingcheng (上海大学材料科学与工程学院,上海200444;中国科学院上海光学精密机械研究所,強激光材料重点実験室,上海201800) ,  Pan Mingyan (中国科学院上海光学精密机械研究所,強激光材料重点実験室,上海201800) ,  Wang Lin (上海大学材料科学与工程学院,上海,200444) ,  Qi Hongji (中国科学院上海光学精密机械研究所,強激光材料重点実験室,上海201800) ,  Wang Hu (中国科学院上海光学精密机械研究所,強激光材料重点実験室,上海201800)
資料名： Wuji Huaxue Xuebao  (Wuji Huaxue Xuebao)
巻： 34  号： 2  ページ： 277-282  発行年： 2018年 
JST資料番号： C2431A  ISSN： 1001-4861  CODEN： WHUXEO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Zintl相化合物α-BaZn2P2RをSnフラックス法により高温で合成し,X線単結晶回折により結晶構造とα-BaCu2S2同形を決定した。α-BaZn2P2の格子パラメータは,a=0.97678(5)nm,b=0.41334(2)nm,c=1.06055(5)nmであった。高温相β-BaZn2P2の層状構造と異なり、低温相α-BaZn2P2は三次元格子構造を持っている。その中、ZnP4四面体は共辺と共頂の2つの方式で連結してアニオンのフレームを形成し、Ba2+は陽イオンの隙間の中である。この化合物のバンド構造と状態密度を密度汎関数理論に基づいて計算し,その結果,この化合物は狭いバンドギャップ半導体(Eg=0.4eV)であることが分かった。また,DSCとXRD結果は,高温でのα-BaZn2P2がBaP5,ZnP4などの二元相に分解されることを示した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 三次元 ,  単結晶 ,  バンドギャップ ,  *高温 ,  状態密度 ,  スズ ,  半導体 ,  結晶構造 ,  格子定数 ,  カチオン ,  アニオン ,  密度汎関数法 ,  X線回折 ,  低温
準シソーラス用語： *Zintl相 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Zintl phase compound ,  phosphorus compounds ,  crystal structure ,  electronic structure

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

タイトルに関連する用語 (1件)： Zintl相