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J-GLOBAL ID：201802247710207659   整理番号：18A1354964

内部ラッチの部分硬化によるフリップフロップSEUS緩和とクロックデューティサイクルの調整【JST・京大機械翻訳】

Flip-Flop SEUs Mitigation through Partial Hardening of Internal Latch and Adjustment of Clock Duty Cycle

著者 (5件)： Li Yuanqing ,  Breitenreiter Anselm ,  Andjelkovic Marko ,  Schrape Oliver ,  Krstic Milos
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： DDECS  ページ： 9-14  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,フリップフロップ単一イベントアップセット(SEU)軽減のための放射線-硬さ-バイ-デザイン(RHBD)法を研究した。この方法は,ある種の放射線硬化構造,例えば二重インターロックストレージセル(DICE)を適用し,フリップフロップの1段ラッチを実装する一方,他のステージに対するSEU保護は,クロックデューティサイクルを調整することにより実現し,保持状態継続時間を短縮する。放射線硬化技術は1段ラッチだけに使用されるので,全体面積と電力コストを下げることができる。この技術は自動ディジタル設計フローと互換性があり,本論文の事例研究として非同期一次(FIFO)回路のために実装された。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 互換性 ,  *クロック ,  放射線 ,  放射線架橋 ,  *双安定回路 ,  *緩和現象 ,  ディジタル方式 ,  事例研究 ,  硬度 ,  継続時間 ,  FIFO ,  SEU【シングルイベント】
準シソーラス用語： *デューティサイクル ,  設計フロー ,  電力価格 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 部分硬化 ,  フリップフロップ ,  緩和 ,  クロック ,  デューティサイクル