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J-GLOBAL ID：201802247873359456   整理番号：18A0973238

RFマグネトロンスパッタリングにより成長させた自己集合マルチフェロイックエピタキシャルBiFeO_3-CoFe_2O_4ナノ複合材料薄膜【JST・京大機械翻訳】

Self-assembled multiferroic epitaxial BiFeO₃-CoFe₂O₄ nanocomposite thin films grown by RF magnetron sputtering

著者 (11件)： Kim Tae Cheol (Department of Materials Science and Engineering, Myongji University, Yongin, Republic of Korea. [e-mail]) ,  Ojha Shuchi ,  Tian Guo ,  Lee Seung Han ,  Jung Hyun Kyu ,  Choi Jun Woo ,  Kornblum Lior ,  Walker Frederick J. ,  Ahn Charles H. ,  Ross Caroline A. ,  Kim Dong Hun
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 6  号： 20  ページ： 5552-5561  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フェリ磁性CoFe_2O_4と強誘電体BiFeO_3から成る自己集合ナノ複合材料を,高周波マグネトロンスパッタリングを用いて,NbドープSrTiO_3(001)またはSrTiO_3バッファSi(001)基板上に成長させた。スピネルCoFe_2O_4は,パルスレーザ蒸着により成長させたナノ複合材料と同様に,ペロブスカイトBiFeO_3マトリックス内のエピタキシャルピラーとして形成された。CoFe_2O_4とBiFeO_3は,NbドープSrTiO_3上のキューブオンキューブエピタクシーにより成長し,BiFeO_3の面内歪の部分緩和を伴った。スパッタ成長ナノ複合材料はピラーの形状異方性とCoFe_2O_4の磁気弾性異方性の両方の結果として面外磁気容易軸を示したが,後者は支配的であった。BiFeO_3マトリックスは強誘電分域を示し,BiFeO_3の除去はCoFe_2O_4の歪緩和による磁気異方性の減少をもたらした。デバイスへの応用の可能性のために,ナノ複合材料を緩衝シリコン基板上に集積した。CoFe_2O_4ナノピラーのテンプレートを基板パターン形成によって達成した。これらの技術は,メモリや他のデバイスへのマルチフェロイックナノ複合材料の組込みを容易にする。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強誘電分域 ,  磁気 ,  *自己集合 ,  緩和現象 ,  強誘電体 ,  記憶装置 ,  *薄膜 ,  *ナノ複合材料 ,  パルスレーザ蒸着 ,  フェリ磁性 ,  磁気異方性 ,  パターン形成 ,  ドーピング
準シソーラス用語： ナノピラー ,  歪緩和 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  成長 ,  自己集合 ,  ナノ複合材料 ,  薄膜