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J-GLOBAL ID：201802247892691391   整理番号：18A0698506

「HPnC」大電流SiCハイブリッドモジュール

“HPnC” High-Current SiC Hybrid Module

著者 (3件)： SEKINO Yusuke (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  MITSUMOTO Takahiro (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  MORIYA Tomohiro (Fuji Electric Co., Ltd.)
資料名： Fuji Electric Review  (Fuji Electric Review)
巻： 63  号： 4  ページ： 218-222  発行年： 2017年12月30日 
JST資料番号： S0167A  ISSN： 0429-8284  CODEN： FUERB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 富士電機では,電車および太陽光発電や風力発電用設備に使用する「HPnC」大電流パワーモジュールを開発している。本チップは,第7世代の「Xシリーズ」技術を用い,低電力損失の達成を可能にする。パッケージには,熱放出の高い部材を利用した窒化アルミニウム(AlN)絶縁基板,およびマグネシウムと炭化ケイ素との複合材料(MgSiC)から成る母材を採用している。端子のエンクロージャに積層構造を採用することにより,内部インダクタンスを10nHに減少した。さらに,RoHS指令に適合するために,超音波端子溶接を使用している。これらの技術により,本モジュールは,従来のHPMよりも12%大きい高電流密度を達成した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *IGBT ,  *Schottky障壁ダイオード ,  回路モジュール ,  パワーエレクトロニクス ,  電流密度
準シソーラス用語： *SBD【ダイオード】 ,  パワーモジュール

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

引用文献 (2件)：

• Kawabata, J. et al. 7th-Generation ′′X Series′′ IGBT Module. FUJI ELECTRIC REVIEW. 2015, vol.61, no.4, p.237-241.
• Onezawa, T. et al. 1,700-V Withstand Voltage SiC Hybrid Module. FUJI ELECTRIC REVIEW. 2015, vol.61, no.4, p.228-231.

タイトルに関連する用語 (3件)： 大電流 ,  SiC ,  モジュール