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J-GLOBAL ID：201802247908142514   整理番号：18A0400155

化学浴析出法を用いた非ドープおよびインジウム~3+をドープしたすずマンガンテルル(Sn_1Mn-Te)ナノ粒子の有効特性【Powered by NICT】

Effective properties of undoped and Indium³⁺-doped tin manganese telluride (Sn_1- Mn Te) nanoparticles via using a chemical bath deposition route

著者 (6件)： Boon-on Patsorn (Department of Physics, Faculty of Liberal Arts and Science, Kasetsart University, Kamphaeng Saen Campus, Nakhon Pathom 73140, Thailand) ,  Tubtimtae Auttasit (Department of Physics, Faculty of Liberal Arts and Science, Kasetsart University, Kamphaeng Saen Campus, Nakhon Pathom 73140, Thailand) ,  Vailikhit Veeramol (Department of Chemistry, Faculty of Liberal Arts and Science, Kasetsart University, Kamphaeng Saen Campus, Nakhon Pathom 73140, Thailand) ,  Teesetsopon Pichanan (Department of Physics, Faculty of Science, King Mongkut’s Institute of Technology, Ladkrabang, Bangkok 10520, Thailand) ,  Choopun Supab (Department of Physics and Materials Science, Faculty of Science, Chiang Mai University, Chiang Mai 50200, Thailand) ,  Choopun Supab (Thailand Center of Excellence in Physics (ThEP Center), CHE, Bangkok 10400, Thailand)
資料名： Physics Letters. A  (Physics Letters. A)
巻： 381  号： 21  ページ： 1807-1814  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0600B  ISSN： 0375-9601  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： すずテルル化マンガンナノ粒子(1 Mn-Te NPs)は最初の化学浴堆積(CBD)法を用いて五酸化ニオブ(Nb_2O_5)膜上に合成した。インジウム(In~3+)ドーピング~70 150nm前後の個々の粒子サイズはSnMnTe相の化学量論的生成を用いて調べた。Sn_0.938Mn_0 0.062Te相の立方晶または岩塩構造も構造中に取り込まれた保たれていた。非ドープおよびIn~3+をドープした試料についてプロットしたエネルギーバンドギャップは2.17と1.83eVであった。~3+ドーピング後の光ルミネセンス(PL)スペクトルの減少,インジウムドーパントはSn-1-Mn-Te NP中に取り込まれたトラップ状態として作用したが,増強された電荷分離と減少した電荷再結合,Nb_2O_5の伝導バンド中に捕捉されたより高い電荷密度をもたらしたを示し,またサイクリックボルタンメトリーにおける陽極ピークの結果により確認した。これらの結果は,オプトエレクトロニクスおよび電気化学デバイスに新しい可能性を示唆した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： サイクリックボルタンメトリー ,  *ドーピング ,  酸化ニオブ ,  バンドギャップ ,  立方晶系 ,  化学量論 ,  *ナノ粒子 ,  オプトエレクトロニクス ,  アノード ,  光ルミネセンス ,  伝導バンド ,  電荷分離
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  電荷再結合 ,  *化学浴析出 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： すずマンガンテルル化 ,  インジウムドーピング ,  化学浴析出 ,  Nanoparticles

分類 (1件)： 光学一般  (BD03010Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： 化学浴析出法 ,  ドープ ,  インジウム ,  すず ,  マンガン ,  テルル ,  Te ,  ナノ粒子