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J-GLOBAL ID:201802248094360418   整理番号:18A1425951

銅および銅酸化物層形成のためのCVD前駆体としてのβ-ケトイミナト系銅(II)錯体【JST・京大機械翻訳】

β-Ketoiminato-based copper(ii) complexes as CVD precursors for copper and copper oxide layer formation
著者 (9件):
資料名:
巻: 47  号: 30  ページ: 10002-10016  発行年: 2018年 
JST資料番号: A0270A  ISSN: 1477-9226  CODEN: DTARAF  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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4-6の分子固体構造を単結晶X線回折研究により決定し,4a,b及び5がCu(II)に歪んだ四角錐構造を持つ正方平面Cu_2O_2コアを特徴とする二つの[{Cu(μ-OAc)L}](L=ケトイミナト配位子)単位で構成されることを示した。対照的に,6は三座配位のOCMeCHCMeNCH_2CH_2NEt_2配位子とσ結合酢酸基を有する単量体であり,したがって,Cu(II)の周りに正方平面環境を誘導する。すべての錯体の熱挙動を,ArとO_2の雰囲気下でTG(熱重量測定)とDSC(示差走査熱量測定)によって研究した。錯体4bは213°C(O_2)と239°C(Ar)で最高の最初の開始温度を示した。PXRD研究は,Ar下でO_2とCu/Cu_2Oの雰囲気下でCuOの形成を確認した。TG-MS研究は,4aを用いて行われて,250°C以上の温度でm/z=15,28,43,44,45,および60のような検出可能なフラグメントを有するケトイミナト配位子の除去を示した。蒸気圧測定は,5が70°C(比較,4a,1.4;4b,1.3;6,0.4mbar)で3.6mbarの最も高い揮発性を示し,450°Cと510°Cの基板温度でSi/SiO_2上のCu/Cu_2O堆積のMOCVD前駆体として4aと5を用いた。蒸着実験は窒素雰囲気と酸素雰囲気下で行った。得られたままの層をSEM,EDX,XPS,およびPXRDによって特性化し,反応性ガスとして酸素を用いて,炭素不純物のない金属銅と銅(i)酸化物の混合物が形成され,一方,53~68mol%C汚染のN_2Cu膜が生成したことを示した。N_2下で510°Cで前駆体5を用いた堆積実験において,純粋な銅膜を得た。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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第11族,第12族元素の錯体  ,  遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造 
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