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J-GLOBAL ID：201802248136655930   整理番号：18A1697613

動作電圧制御によるTaO_x抵抗変化素子のアナログ抵抗変化特性の向上

著者 (4件)： 島久 (産総研 ナノエレクトロニクス研究部門) ,  高橋慎 (産総研 ナノエレクトロニクス研究部門) ,  内藤泰久 (産総研 ナノエレクトロニクス研究部門) ,  秋永広幸 (産総研 ナノエレクトロニクス研究部門)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.18p-432-5  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 材料科学 ,  電気化学 ,  変化 ,  *酸化タンタル ,  酸化物 ,  薄膜 ,  電気特性 ,  *電圧 ,  *電流電圧特性 ,  *薄膜抵抗器 ,  ニューラルネットワーク ,  固体イオニクス ,  酸化物薄膜 ,  *動作電圧
準シソーラス用語： 抵抗変化 ,  *Ta酸化物 ,  *薄膜抵抗素子

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  ニューロコンピュータ  (JC06010Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電圧制御 ,  抵抗変化 ,  アナログ