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J-GLOBAL ID：201802248158295387   整理番号：18A0477336

酸化NO_2及び還元NH_3に対する高感度応答を有する二核フタロシアニンイットリウムダブルデッカー両極性半導体の二量体【Powered by NICT】

Binuclear Phthalocyanine Dimer-Containing Yttrium Double-Decker Ambipolar Semiconductor with Sensitive Response toward Oxidizing NO₂ and Reducing NH₃

著者 (8件)： Lu Guang (Beijing Key Laboratory for Science and Application of, Functional Molecular and Crystalline Materials, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Wang Kang (Beijing Key Laboratory for Science and Application of, Functional Molecular and Crystalline Materials, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Kong Xia (School of Science, China University of Petroleum (East China), Qingdao, 266580, China) ,  Pan Houhe (Beijing Key Laboratory for Science and Application of, Functional Molecular and Crystalline Materials, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Zhang Jinghui (Beijing Key Laboratory for Science and Application of, Functional Molecular and Crystalline Materials, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Chen Yanli (School of Science, China University of Petroleum (East China), Qingdao, 266580, China) ,  Jiang Jianzhuang (Beijing Key Laboratory for Science and Application of, Functional Molecular and Crystalline Materials, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Jiang Jianzhuang (School of Science, China University of Petroleum (East China), Qingdao, 266580, China)
資料名： Chemelectrochem  (Chemelectrochem)
巻： 5  号： 4  ページ： 605-609  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2526A  ISSN： 2196-0216  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 準Langmuir Shaefer法を用いて二核フタロシアニンチミン2量体を含むイットリウムダブルデッカー錯体[{Pc(OC_4H_9)8}Y{BiPc(OC_4H_9)12}Y{Pc(OC_4H_9)8}]から作製した薄膜トランジスタは電子と正孔のキャリア移動度2.3と0.8cm~2V~ 1s~ 1の良好な両極性有機電界効果トランジスタ(OFET)素子性能を示した。これらは溶液処理小分子単一成分ベース両極性OFET素子に関してこれまでに得られた最高の移動度を示した。この化合物の両極性半導体特性は,室温で,それぞれ約0.5 3ppmと7.5 20ppmの濃度範囲で酸化NO_2ガスと還元NH_3ガスの両方に向けてデバイスの高感度応答による明確な方法で確認された。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 錯体 ,  小分子 ,  移動度 ,  薄膜トランジスタ ,  *高感度 ,  キャリア移動度 ,  正孔 ,  *酸化 ,  *二量体
準シソーラス用語： 溶液処理 ,  有機FET ,  *両極性 ,  チミン二量体 ,  *極性半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 二核フタロシアニン ,  ダブルデッカー ,  両極性半導体 ,  有機電界効果トランジスタ ,  ガスセンサ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸化 ,  還元 ,  高感度 ,  応答 ,  核 ,  極性半導体 ,  二量体