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J-GLOBAL ID：201802248209028185   整理番号：18A0336094

α-,β-およびγAlH_3の電子的性質の研究理論的アプローチ【Powered by NICT】

Study on electronic properties of α-, β- and γ-AlH₃ - The theoretical approach

著者 (3件)： Savic M. (Institute of Nuclear Sciences Vinca, P.O. Box 522, University of Belgrade, 11000 Belgrade, Serbia) ,  Radakovic J. (Institute of Nuclear Sciences Vinca, P.O. Box 522, University of Belgrade, 11000 Belgrade, Serbia) ,  Batalovic K. (Institute of Nuclear Sciences Vinca, P.O. Box 522, University of Belgrade, 11000 Belgrade, Serbia)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 134  ページ： 100-108  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlH_3多形(α , β , γ )は,水素貯蔵および水素化物エレクトロニクスへの応用のための非常に有望な材料である。合成と水素脱離アプローチにおける近年の展開を考えると,三AlH_3多形(α , β , γ )のここで示した詳細な比較研究を説明し,これらの材料の適用性の改善を導くことを目的としている。α-,β-およびγAlH_3の安定性と結合に対処するために密度汎関数理論(DFT)に基づく電子構造計算を用いた。種々の多形の安定性をより良く理解するために,α′-AlH_3の生成エンタルピーも検討した。電子物性(電子密度分布,状態密度,バンド構造およびBader電荷)は,交換相関のPerdew-Burke-Ernzerhof(PBE)の一般化勾配近似(GGA)だけでなく,交換のための追加Tran-Blaha修正Becke-Johnson汎関数(TBmBJ)を用いて計算した。研究電子構造と結合強度の興味ある相関,アランの以前に報告された研究では観察されなかっを示し,β-およびγアランに適用TBmBJ法を用いて得られた結果を提示した。GGA-PBE値と比較して,TBmBJを用いて計算したバンドギャップは96%まで増加した。実験データが不足しているため,アランのTBmBJの適用性に関する強い結論はできない,G_0W_0値に良く一致し,GW値の過大評価は,αAlH_3の1例で見られた。バンド構造計算は,電子移動度に関する結論と水素貯蔵に応用の他のタイプへと導くが,Baderの理論に基づいて,調べたすべての多形における結合を比較した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンド構造 ,  汎関数 ,  適応性 ,  生成熱 ,  密度汎関数法 ,  状態密度 ,  水素化物 ,  電子構造 ,  *水素吸蔵 ,  計算
準シソーラス用語： 結合強度 ,  一般化勾配近似 ,  電子密度分布 ,  電子物性 ,  電子構造計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 水素貯蔵 ,  AlH_3 ,  電子的性質 ,  バンドギャップ ,  電荷解析

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子 ,  性質 ,  研究 ,  理論