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J-GLOBAL ID：201802248327911283   整理番号：18A0582841

無機AlNナノ円錐の電子的および電界放出特性に及ぼす水の影響:計算機による研究【Powered by NICT】

The effect of water on the electronic and field emission properties of inorganic AlN nanocones: Computational study

著者 (4件)： Saedi Leila (Department of Chemistry, East Tehran Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran) ,  Jameh-Bozorghi Saeed (Department of Chemistry, Faculty of Science, Hamedan Branch, Islamic Azad University, Hamedan, Iran) ,  Maskanati Maryam (Department of Chemistry, North Tehran Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran) ,  Soleymanabadi Hamed (Department of Chemistry, Faculty of Science, Hamedan Branch, Islamic Azad University, Hamedan, Iran)
資料名： Inorganic Chemistry Communications  (Inorganic Chemistry Communications)
巻： 90  ページ： 86-91  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1585A  ISSN： 1387-7003  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論計算を用いて,Z軸方向に±0.02a.u.のまわりの一様電場(EF)の存在下および非存在下でのAlNナノコーン(AlNN)の電子構造と電界放出特性に及ぼす水吸着の影響を調べた。零EFでは,H_2O分子は約23.2kcal/molの吸着エネルギーを持つAlNNの頂点でのO原子から吸着される傾向があるAlNNの電子と電界放出特性に及ぼすその効果は無視できる。両EFはAlNNの電気伝導率を増加させた。+およびEFでは,吸着エネルギーは40.6と 4.1kcal/molに変化した。+EFでは,AlNNのHOMO準位は, 3.69から3.08eVにシフトし,このようにして,ギャップは約31.6%減少した。結果として,Fermi準位(FL)は,高エネルギー側にシフトし,AlNNの仕事関数(Φ)は約12.0%減少した。H_2O分子はAlNNの表面からの電界放出電流密度(EECD)を増加させることができると結論付けることができる。しかし-EFで,H_2O吸着後,AlNNのLUMOレベルは大きくシフトし,ギャップは有意に約59.4%減少した。その結果,FLは低エネルギーにシフトし,AlNNのΦは約14.0%増加した。H_2O分子はEFでAlNNの表面からEECDを減少させた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 吸着エネルギー ,  *電界放出 ,  電流密度 ,  HOMO ,  吸着 ,  ナノ構造 ,  電場 ,  LUMO ,  Fermi準位 ,  電気伝導率 ,  電子構造 ,  *窒化アルミニウム ,  仕事関数
準シソーラス用語： 酸素原子 ,  *ナノコーン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 無機ナノ構造 ,  DFT ,  吸着 ,  仕事関数

分類 (1件)： 遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造  (BK09030X)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlN ,  ナノ円錐 ,  電子 ,  電界放出 ,  水 ,  計算機 ,  研究