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J-GLOBAL ID：201802248388015495   整理番号：18A2022480

Xバンド用の高線形二重利得CMOS低雑音増幅器【JST・京大機械翻訳】

A Highly Linear Dual-Gain CMOS Low-Noise Amplifier for $X$ -Band

著者 (3件)： Meghdadi Masoud (Department of Electrical Engineering, Shahid Beheshti University, Tehran, Iran) ,  Piri Milad (Department of Electrical Engineering, Sharif University of Technology, Tehran, Iran) ,  Medi Ali (Department of Electrical Engineering, Sharif University of Technology, Tehran, Iran)
資料名： IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs  (IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs)
巻： 65  号： 11  ページ： 1604-1608  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0347A  ISSN： 1549-7747  CODEN： ITCSFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高線形X帯低雑音増幅器(LNA)を提案し,標準0.18μm CMOS技術に実装した。LNAは高利得動作モードと低利得動作モードの両方を特徴とする。その正常な高利得モードにおいて,LNAは+9.5dBmのIIP3と4.7dBの雑音指数で13.6dBの小信号利得を示した。2段増幅器は3.3V電源から90mAを引き出し,+14.8dBm出力P1dB(+2.2dBm入力P1dB)を達成した。低利得モードにおいて,利得は,線形性をさらに強化し,非常に大きな遮断器を収容するために,約10dB低減される。従って,入力P1dBは+13.7dBmに増強され,雑音指数は8.1dB増加した。LNAが低利得モードで動作するようにスイッチするとき,入力整合を維持するための技術も導入した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *利得 ,  *CMOS ,  運転モード ,  小信号利得 ,  *増幅器 ,  遮断器 ,  雑音指数 ,  *線形性 ,  *低雑音増幅器
準シソーラス用語： IIP3 ,  高利得 ,  *Xバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 音声処理  (JE05000E) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (5件)： Xバンド ,  線形 ,  利得 ,  CMOS ,  低雑音増幅器